Determination of Stresses in SiSiO₂ and Mechanically Affected Si by EPR

Abstract

The influence of stresses generated by roughening or oxidation of silicon samples on the E P R spectra of Be0 in silicon is investigated. Starting from previous calculations it is possible to explain the changes in the angular dependence of the spectra, and to determine the stress components in the SiO, film and in the Si surface affected by roughening. The stress values determined by the E P R analysis are compared with the results obtained by other methods.Der EinfluB der durch Aufrauhung oder Oxydation von Siliziumproben erzeugten Spannungen auf die E P R Spektren von Feoin Silizium wird untersucht. Ausgehend von friiheren Berechnungen konnen die winkelabhangigen Bnderungen der Spektren erklart und die Spannungskomponenten im SiO,-Film und in der durch Aufrauhung beeintrachtigten Siliziumoberflache bestimmt werden. Die durch die E P R Analyse bestimmten Werte werden mit den Ergebnissen verglichen, die mit anderen Methoden erhalten wurden.

EPR Investigations of ZnS:Mn and ZnSe:Mn) Single Crystals, Powders, Thin-Film Structures

“…No changes of the spectra could be detected, if the direction of the external magnetic field was varied relative to the layer axes. An angular dependence is expected for non-random distribution of stresses in such layer structures [18] and in the case of the forniation of crystalline-like layers, e.g. of layers with a t least partial alignment of the crystallite axes.…”