Depth distributions and damage characteristics of protons implanted in n-type GaAs

Abstract

Depth distributions of 300-keV protons implanted in n-type GaAs and characteristics of the associated damage in the crystalline material have been obtained. Range profiles of the implanted 1H ions as a function of substrate implantation temperature have been determined using secondary ion mass spectrometry for fluences of 5×1014 and 5×1015 cm−2. The projected range for the protons was approximately 2.7 μm for the room temperature implants, but a significant rearrangement of the 1H atoms occurred during elevated temperature implantation. While cross-sectional transmission electron microscopy showed no evidence of crystal damage in as-implanted wafers, plan-view measurements revealed platelike damage structures in the surface region (< 1μm).

Влияние Имплантации H-=sup=-+-=/Sup=- На Оптические Свойства Кристаллов Полуизолирующего Арсенида Галлия В Ик-Области Спектра

“…3), вследствие малой массы ионов водорода являются простыми дефектами, которые могут легко диффундировать в поле градиента механических напряжений в объем кристалла [13], фор-мируя нарушенный слой большей толщины. На форми-рование такого слоя также оказывает влияние расплыва-ние профиля как имплантированного водорода, так и ра-диационных дефектов, в том числе в процессе импланта-ционного разогрева образцов [15]. Некоторое изменение оптических свойств приповерхностного слоя вследствие имплантации также приводит к падению отражения имплантированного образца (рис.…”