Depósito mediante ablación con láser de láminas delgadas de (Pb,La) TiO₃ y ZnO sobre (100) InP

Abstract

Se ha estudiado el proceso de dep-sito mediante ablaci-n con l ‡ser de l ‡minas delgadas de PbTiO 3 modificado con La (PLT) y ZnO sobre (100)InP. Para el PLT se han depositado l ‡minas intermedias de -xidos dielŽctricos (CeO 2 , ZrO 2 , SrO, YSZ, MgO, y SrTiO 3 ) necesarias para la protecci-n de la superficie del substrato. En cada caso se han establecido las condiciones experimentales (presi-n de ox'geno, temperatura del substrato, densidad de energ'a del pulso l ‡ser y limpieza de la superficie del substrato) necesarias para obtener l ‡minas cristalinas con orientaci-n preferente. En la heteroestructura PLT/YSZ/(100)InP se estudian los cambios de composici-n y morfolog'a a lo largo del perfil de la heteroestructura, a fin de investigar los procesos involucrados en el crecimiento de estos -xidos sobre el (100)InP. Palabras claves: Ablaci-n con l ‡ser; heteroepitaxia de -xidos sobre InP; l ‡minas piezoelŽctricas. Growth of (Pb,La)TiO 3 and ZnO thin films on (100)InP by PulseD Laser depositionThe oriented growth of PbLaTiO 3 (PLT) and ZnO thin films on (100)InP has been studied, including the influence of buffer oxide layers (CeO 2 , ZrO 2 , SrO, YSZ, MgO, and SrTiO 3 ) on the final texture of PLT film obtained. In each case the oxygen pressure, substrate temperature, energy fluence and substrate surface conditions required to obtain a crystalline and preferentially oriented phase have been established. The composition and morphological changes related to the PLT/YSZ/(100)InP heterostructure profile have been studied in order to investigate the processes involved in the growth of these oxides on (100)InP.