Deposition and Properties of Reactively Sputtered Ruthenium Dioxide Films

Sakiyama, K.; Onishi, S.; Ishihara, Kengo; Orita, Kunihiko; Kajiyama, T.; Hosoda, Noriko; Hara, Tohru

doi:10.1149/1.2056168

Cited by 49 publications

(13 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The samples were then annealed at various temperatures in N . The highest temperature evaluated in this work was 600 C, although excellent thermal stability up to 900 C is expected for RuO films [6]. It should be also noted that alternate integration schemes have been proposed in which the gatestack is not subjected to temperatures above 600 C [15].…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 88%

See 1 more Smart Citation

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Zhong

Heuss

Misra

2000

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

The rutile stoichiometric phase of RuO 2 , deposited via reactive sputtering, was evaluated as a gate electrode for Si-PMOS devices. Thermal and chemical stability of the electrodes was studied at annealing temperatures of 400 C and 600 C in N 2 . X-ray diffraction patterns were measured to study grain structure and interface reactions. Very low resistivity values were observed and were found to be a strong function of temperature. Electrical properties were evaluated on MOS capacitors, which indicated that the workfunction of RuO 2 was compatible with PMOS devices. Excellent stability of oxide thickness, flatband voltage and gate current as a function of temperature was also found. Breakdown fields were also measured for the samples before and after annealing.

show abstract

Section: Methodsmentioning

confidence: 88%

“…RuO exhibits a metallic conductivity of 35 cm at 300K arising from the partially filled Ru 4d states [5]. Excellent thermal stability up to 900 C has been observed for RuO films [6], which has also shown superiority over ruthenium films [3]. The surface morphology of RuO films has reported to remain smooth up to temperatures of 900 C [10].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Zhong

Heuss

Misra

2000

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…10,22-32 A relatively low resistivity value of 40 ⍀ cm has been reported for a sputtered polycrystalline film. [25][26][27] The observed high resistivity in our films compared to the sputtered film is probably due to incorporated C, H, and N impurities in the films from the organic precursor, or due to smaller grain size or thinner films.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 87%

Chemical Vapor Deposited RuO[sub x] Films

Paramasivam

Eizenberg

Dornfest

2002

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

Ruthenium and ruthenium oxide films were deposited on a Ru/SiO 2 /Si substrate at 355°C using a Ru͑C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 -͓Ru͑EtCp͒ 2 ͔ precursor and oxygen gas. The effects of the oxygen flow rate on film composition, microstructure, surface morphology, stress, and resistivity were investigated. The oxygen content in the film increases as the oxygen flow rate increases and saturates at a flow of 1200 sccm. Films deposited with an O 2 flow rate of 800 sccm or less have the structure of the ruthenium phase, a ͗001͘ texture, and smooth surface morphology. Films deposited with an O 2 flow rate of 1200 sccm or above have the structure of the ruthenium dioxide phase and higher surface roughness. Ru-phase films have a high stress level and low resistivity; the increase of oxygen flow rate from 50 to 800 sccm results in a decrease of stress from 8 to 5 G dyn/cm 2 and an increase of resistivity from 19 to 48 ⍀ cm. RuO 2 -phase films have a relatively low stress level (2 G dyn/cm 2 ), which does not change significantly with the oxygen flow rate, and high resistivity which slightly decreases from 120 to 115 ⍀ cm as the oxygen flow rate increases from 1200 to 2000 sccm.

show abstract

“…Рутенијум-оксид поседује низ предности у односу на друге металне оксиде: има највећу псеудокапацитивност од свих псеудокапацитивних материјала (око 1000 F g -1 [2]), има широки електрохемијски прозор стабилности, скоро потпуно реверзибилну редокс реакцију, одличну протонску проводност, термичку и механичку стабилност и скоро металну електронску проводност [120][121][122][123]. У опсегу од 1,2 V пролази кроз три оксидациона стања [21,27].…”

Section: 2 метални оксидиunclassified

Electrochemical supercapacitors: Operation, components and materials

Dekanski

Panić

2018

Hem Ind

View full text Add to dashboard Cite

Институт за хемију, технологију и металургију -Центар за електрохемију, Универзитет у Београду, Србија Сажетак Кроз преглед принципа рада уређаја за динамичко складиштење енергије и њихове најновије генерације, електрохемијских суперкондензатора, као и компоненти и активних материјала који се користе за њихову израду и опис различитих приступа изради, изложено је тренутно стање у развоју истраживања суперкондензатора као важног сегмента склопова за алтернативно напајање електричном енергијом. Дискутоване су њихове предности и недостаци у односу на друге врсте електрохемијских извора струје, пре свега батерија. Кључне речи: складиштење енергије; електрохемијски двојни слој; псеудокапацитивност; угљнични материјали, оксиди метала, електропроводни полимери ПРЕГЛЕДНИ РАД UDC 544.6:54-126:66.03:62-405.8.004.12 Hem. Ind. 72 (4) 229-251 (2018) Доступно на Интернету са адресе часописа: http://www.ache.org.rs/HI/ УВОДЗависност од конвенционалних, фосилних горива, због, између осталог, њихове све веће цене, ограничених ресурса, загађења и геополитичких односа, доводи савремено друштво у ситуацију да тражи алтернативне, обновљиве, али и јефтине, поуздане и ефикасне изворе енергије и системе за њено складиштење. Зато је шира употреба таквих извора енергије, посебно оних који ће побољшати ефикасност транспортних система један од важнијих циљева савремене науке. Један од кључних задатака у том смислу је развој система за складиштење енергије (ССЕ) који ће омогућити да се енергија природних обновљивих извора, као што су соларна, геотермална или енергија ветра, ускладишти и потом контролисано пренесе у мрежу за дистрибуцију електричне енергије. Са друге стране, потреба за повећањем ефикасности и економичности возила захтева проналажење ефикасног начина да се промена њихове кинетичке енергије складишти при сваком успоравању или кочењу.Иако су ови циљеви делимично остварени развојем примарних и секундарних хемијских извора струје (у даљем тексту ови извори ће бити помињани под скраћеним колоквијалним називом -батерије) који су по правилу мале снаге, повећање ефикасности таквих система је могуће само развојем система, односно нових ССЕ, које ће обезбеђивати што већу снагу. Суперкондензатори су због своје велике снаге и дугог животног века (великог броја циклуса пуњења и пражњења) најозбиљнији кандидати за развој напредних хибридних и самосталних, како мобилних тако и стационарних ССЕ [1]. СУПЕРКОНДЕНЗАТОРИ КАО СИСТЕМИ ЗА СКЛАДИШТЕЊЕ ЕНЕРГИЈЕСуперкондензатори се могу сматрати секундарним (електро)хемијским извором струје (након пражњења могуће их јевише пута изнова пунити и поново празнити). Код примарних извора, процес пражњења је неповратан, док се секундарним изворима (акумулаторима) називају они извори код којих је реакцијама у супротном смеру могуће поново напунити извор (Ni-Cd и Ni-метал хидридни, литијум-јонски и оловни акумулатори). За разлику од батерија које енергију складиште електрохемијски -извор носиоца наелектрисања је учесник у електрохемијским реакцијама, у (супер)кондензаторима енергија се складишти електростатички...

show abstract

Deposition and Properties of Reactively Sputtered Ruthenium Dioxide Films

Cited by 49 publications

References 0 publications

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Chemical Vapor Deposited RuO[sub x] Films

Electrochemical supercapacitors: Operation, components and materials

Contact Info

Product

Resources

About

Deposition and Properties of Reactively Sputtered Ruthenium Dioxide Films

Cited by 49 publications

References 0 publications

Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Chemical Vapor Deposited RuO[sub x] Films

Electrochemical supercapacitors: Operation, components and materials

Contact Info

Product

Resources

About

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS

Electrical properties of RuO₂ gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS