“…Завдяки особливостям поєднання електричних і фотоелектричних властивостей TlInSe 2 є перспективними матеріалами для створення детекторів та приймачів випромі-нювання, пристроїв, керованих електричним полем, в умовах підвищеної радіації [2,3]. Про важливість використання шаруватих на-півпровідників як матеріалів для сенсорів по-відомлялося в роботах [4][5][6].…”