Deep traps in the ZnO nanorods/Si solar cells

Gwóźdź, Katarzyna; Płaczek‐Popko, E.; Zielony, E.; Paradowska, K.M.; Pietruszka, R.; Witkowski, B.S.; Kopalko, K.; Godlewski, M.; Chang, Liann‐Be

doi:10.1016/j.jallcom.2017.02.310

Cited by 17 publications

(4 citation statements)

References 42 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…There were further works on a similar structures (ptype Si and n-type ZnO-NRs), that focused on the application of metallic NPs to use plasmonic effects to support the process of light absorption and separation of carriers [87][88][89]. However, the final results did not show higher efficiencies than previously reported for the best structures of this type.…”

Section: Silicon Based Pv Cellsmentioning

confidence: 95%

Applications of ZnO Nanorods and Nanowires - A Review

Witkowski

2018

Acta Phys. Pol. A

View full text Add to dashboard Cite

This paper contains a review describing the various potential applications of ZnO nanorods in many different devices such as light emitters (light emitting diodes and lasers) and detectors (on single nanorod or nanorods matrices), photovoltaic cells (dye-sensitized, perovskite-based, thin film, organic and silicon solar cells), photocatalytic applications, field emitters, field effect transistors, chemical and biological sensors, and electric nanogenerators. The review describes state of art in this field from more than twenty years perspective, presenting problems and challenges to be solved.

show abstract

Section: Silicon Based Pv Cellsmentioning

confidence: 95%

Applications of ZnO Nanorods and Nanowires - A Review

Witkowski

2018

Acta Phys. Pol. A

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Burada ; T= için yakalama tesir kesiti, ; sıcaklıktan bağımsız bir sabit, k; Boltzmann sabiti ve T; sıcaklığı göstermektedir. [17]. Tuzak seviyelerinin yakalama tesir kesiti =7.27x10 17 cm 2 olarak bulunmuştur.…”

Section: Materyal Ve Metotunclassified

“…DLTS ölçümleri Agilent 81110a ve Boonton 7200 LRC kullanılarak yapılmıştır.C-V ölçüm sonuçlarından yapıların taşıyıcı konsantrasyonu ve Vbi değerleri hesaplanmıştır. Bir heteroeklemde uygulanan gerilim (V) ile ölçülen kapasite (C) arasındaki ilişki aşağıdaki ifade ile verilir[17];…”

unclassified

“…ZnO/p-Si örneğinin DLTS sonuçlarından elde edilen derin tuzakların aktivasyon enerjisi değeri Ea=195meV olarak bulunmuştur. Bu değer literatürde yer alan ZnO yapı içerisinde iletkenlik bandından yaklaşık 195 meV aşağıda bulunan elektron seviyelerinin varlığını işaret etmektedir[17]. Tuzak seviyelerinin yakalama tesir kesiti =7.27x10 17 cm 2 olarak bulunmuştur.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Electrical Characterization of ZnO (Al) / p-Si Heterojunctions Fabricated by SolGel Method

Akçay

2018

Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Özet: Bu çalışmada, p-tipi Silisyum (p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit (AZO) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleri incelenmiştir. ZnO ve AZO nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş ve ZnO/p-Si, AZO/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ile oluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 o C'de 30 dk termal tavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) ve Kapasitans-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahip diyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların kontak potansiyeli (built-in potential, Vbi) ve taşıyıcı konsantrasyonları (Nd) hesaplandı. Derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzak seviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığı tespit edilmiştir.Abstract: In this work, the electrical properties of heterojunctions formed by coating of undoped Zinc Oxide (ZnO) and 2% Aluminum doped zinc oxid (AZO) on p-type silicon (p-Si) were investigated. ZnO and AZO nanoparticles were synthesized by Sol-Gel method and ZnO / p-Si, ZnO (Al) / p-Si heterojunctions were formed by spin coating technique. After the coating, the samples were thermally annealed at 450 o C for 30 minutes. Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage (C-V) measurements taken at 10K-300K show that the samples exhibit diode behavior with very low leakage current. Built-in potential (Vbi) and carrier concentrations (Nd) of diodes were calculated from C-V measurement results. Deep level transition spectroscopy (DLTS) technique was used to investigate trap levels around the depletion region. The presence of electron traps in both samples was determined.

show abstract