TlSe kristallerinin ısıl buharlaştırılması ile 900 Å kalınlığında hazırlanmış TlSe ince filminin kapasitans (C) ve dielektrik kayıp faktörü (tan δ) omik özellik gösteren Al elektrotlar kullanılarak ölçülmüştür. Hazırlanan TlSe ince filmlerin dielektrik sabiti (ε'), dielektrik modülün gerçek (M') ve sanal kısımları (M'') ile dalgalı iletkenliği (σac) , 100 Hz-10 6 Hz frekans ve 213-393 K sıcaklık aralığında hesaplanmıştır. Cole-Cole eşitliği kullanılarak yapıdaki rahatlama zamanları belirlenmiştir. TlSe ince filmlerinin dielektrik parametrelerinin artan frekansla azaldığı ve artan sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. Bu davranış yapıda birden fazla kutuplanma mekanizmasının varlığıyla açıklanabilir. AC iletkenliğin,ω s ilişkisini (s <1 olmak üzere) sağladığı belirlendi.Yapıda iki farklı iletkenlik mekanizması belirlenmiştir. Bunlar, düşük frekanslarda küçük polaron tünellemesi ve yüksek frekanslarda klasik hoplama mekanizmalarıdır Anahtar Kelimeler: TlSe, ince film, ac iletkenlik, dielektrik sabiti, dielektrik modül.