Đánh Giá Sự Khít Sát Của Inlay Toàn Sứ Lithium Disilicate Được Thực Hiện Bằng Kỹ Thuật Lấy Dấu Thường Quy Và Lấy Dấu Kỹ Thuật Số

Abstract

Mục tiêu: Đánh giá sự khít sát của inlay sứ lithium disilicate được thực hiện bằng kỹ thuật lấy dấu thường quy (LDTQ) và lấy dấu kỹ thuật số (LDKTS). Đối tượng và phương pháp: 20 typodont răng cối lớn một hàm dưới bên phải được thực hiện mài xoang inlay hai mặt xa-nhai tại khu tiền lâm sàng Khoa Răng Hàm Mặt, Đại học Y Dược TP.HCM. Nghiên cứu chia làm 2 nhóm: nhóm 1 gồm 20 inlay theo kỹ thuật LDTQ, nhóm 2 gồm 20 inlay theo kỹ thuật LDKTS. Tất cả inlay được thực hiện bằng sứ lithium dilisicate. Tiến hành đo sự khít sát bờ và lòng inlay tất cả mẫu nghiên cứu bằng phương pháp sao mẫu silicone và đo dưới kính hiển vi soi nổi. Kết quả: Không có sự khác biệt có ý nghĩa về khoảng hở bờ tại vị trí mặt nhai và mặt bên của inlay sứ lithium disilicate được thực hiện bằng kỹ thuật LDTQ và LDKTS (p > 0,05). Ngoài ra, cũng không có sự khác biệt có ý nghĩa về khoảng hở bên trong lòng inlay tại vị trí thành ngoài-trong, thành nướu, thành trục và góc chuyển tiếp của inlay sứ theo 2 phương pháp này (p > 0,05). Kết luận: Không có sự khác biệt về độ khít sát lòng và bờ của inlay toàn sứ lithium silicate khi thực hiện bằng kỹ thuật LDTQ và LDKTS.