Cравнительные физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных полупроводников систем CdS–ZnSe, CdS–ZnS

SEMICONDUCTOR HETEROSYSTEM InAs-ZnS. PHYSICAL AND CHEMICAL PROPERTIES

“…Твердые растворы (InAs) х (ZnS) 1-х (х = 0.5; 1,5; 2; 2.7; 78; 81; 87; 93 мол.%) получали по разработанной (применительно к выбранной системе) методике, основанной на изотермической диффузии исходных бинарных соединений (InAs, ZnS), известных сведениях об их основных объемных свойствах, по предварительно обоснованным режиму и программе температурного нагрева [1,2]. Об образовании и структуре твердых растворов заключали по результатам рентгенографических исследований.…”

“…Более заметными отклонениями от правила Вегарда характеризуются зависимости ρ r = f (x ZnS ) и d 311 = f (x ZnS ) (при 22 мол.% ZnS). Здесь, как и в других, ранее описанных нами системах (типа A III B V -A II B VI и A II B VI -A II B VI ), сказывается влияние сложных внутренних процессов, сопровождающих образование твердых растворов[1,2]. О полном завершении синтеза и образовании твердых растворов свидетельствуют также отсутствие на рентгенограммах дополнительных линий, отвечающих непрореагировавшим бинарным соединениям, и размытости основных линий.В соответствии с положением и распределением по интенсивности основных линий на рентгенограммах твердые растворы и бинарные компоненты системы InAs-ZnS имеют кубическую структуру сфалерита.Рис.…”

Physical and Chemical Properties of Aiiibv – Aiibvi Type Semiconductors (Aiabv – Cdse) and a Iib Vi – A Iib Vi (Znte – Cdse) Systems – Materials for Toxic Gas Analyzers

“…Микроскопические исследования выполняли на приборах КН 8700 (Компания Hilox, Япония) и микромед «Полар-3» с разрешающей способностью до 7000 [2]; электронно-микроскопические -на сканирующем электронном микроскопе JCM -5700, оборудованном приставкой для энергодисперсионного анализа JED 2300 [5];…”

“…В плане выявления эффективных материалов перспективными представляются получение и исследование многокомпонентных алмазоподобных полупроводников на основе бинарных полупроводников типа А III B V , А II B VI с известными уникальными свойствами (оптическими, электрическими, фото-, пьезоэлектрическими и др.) [2].…”

Obtaining, Volume Physical and Chemical Properties, and Certification of Solid Solutions of Insb-ZNS Heterosystem

“…Уникальные физические и физико-химические свойства исходных бинарных соединений (InSb, ZnS), возможности регулирования и оптимизации свойств с изменением состава, а также открытие неожиданных эффектов в силу особенностей внутренних процессов, сопровождающих образование твердых растворов, позволяют ожидать получения перспективных материалов для современной техники и полупроводникового приборостроения, включая полупроводниковые газоанализаторы [1,2].…”