Crystal chemical properties and preparation of single crystals of AgGaSe2GeSe2 γ-solid solutions

Olekseyuk, I. D.; Gulyak, A. V.; Sysa, L.; Gorgut, G. P.; Lomzin, A. F.

doi:10.1016/0925-8388(96)02295-5

Cited by 37 publications

(28 citation statements)

References 3 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The phase diagram of this system, growth of undoped Ag x Ga x Ge 1 -x Se 2 (0.1 ≤ x ≤ 0.4) single crystals, and their electrical and optical properties were reported earlier [1][2][3][4]. Ag x Ga x Ge 1 -x Se 2 crystals were shown to be p -type semiconductors with a band gap of about 0.26 eV near 290 K.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 89%

Effect of Copper Doping on the Optical Properties of AgxGaxGe1 − x Se2 (0.12 ≤ x ≤ 0.25) Single Crystals

et al. 2005

View full text Add to dashboard Cite

Single crystals of AgGaSe 2 -GeSe 2 γ -solid solutions are investigated. The Ag x Ga x Ge 1 -x Se 2 ( 0.12 ≤ x ≤ 0.25 ) solid solutions are anisotropic p-type semiconductors with a 290-K band gap of about 0.26 eV. The high defect density in the crystals results in static disordering and the formation of density-of-states tails in the band gap, reducing their transmittance. Cu doping leads to bleaching in the optical window of the crystals (visible through near-IR spectral region). A model is proposed for the interaction between the dopant atoms and structural defects in the crystals. The radiation hardness and laser damage threshold of Ag x Ga x Ge 1 -x Se 2 are evaluated.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 89%

Effect of Copper Doping on the Optical Properties of AgxGaxGe1 − x Se2 (0.12 ≤ x ≤ 0.25) Single Crystals

et al. 2005

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Завдяки ацентросиметричності кристалічної структури сполуки є перспективними матеріалами нелінійної оптики [2]. Крім того, для цих систем характерне утворення твердих розчинів на основі A I C III X 2 , механізм формування яких полягає у поступовому заміщенні атомів елементів III групи на атоми елементів IV групи у їх кристалографічних позиціях, натомість, кристалографічні позиції атомів I групи стають дефектними [3]. Для цих систем найбільш типовими є сполуки складів A [2] та AgGaGeS 4 (ПГ Fdd2) [4].…”

unclassified

“…Для цих систем найбільш типовими є сполуки складів A [2] та AgGaGeS 4 (ПГ Fdd2) [4]. У системі AgGaSe 2 -GeSe 2 також утворюється сполука складу AgGaGe 3 Se 8 , яка кристалізується у просторовій групі Fdd2 [5].…”

unclassified

Phase equilibria in Tl2Se–In2Se3–GeSe2 system at 520 K

Tsisar¹,

Піскач²,

Babizhetskyy³

et al. 2018

Visnyk Lviv Univ. Ser. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

За результатами рентгенофазового аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану квазі-потрійної системи Tl 2 Se-In 2 Se 3 -GeSe 2 при 520 K. Підтверджено існування п'яти тернарних та двох тетрарних сполук. Нових сполук не знайдено. Система характеризується утворенням твердих розчинів незначної протяжності на основі вихідних бінарних сполук. Найбільшу область гомогенності має твердий розчин на основі тернарної сполуки TlInSe 2 (до 25 мол. % GeSе 2 ) вздовж квазібінарного перерізу TlInSе 2 -GeSе 2 . Протяжність решти твердих розчинів не перевищує 1 мол. % при 520 K.Ключові слова: квазіпотрійна система, ізотермічний переріз, фазові рівноваги, кристалічна структура.

show abstract

“…The crystalline lattice of AgGaGe 3 Se 8 can be represented as a cluster formed by Se atoms surrounding a statistical mixture 0.25Ga +0.75Ge, with Ag atoms being located in the voids of the clusters [2]. In general, the AgGaGe 3 Se 8 crystals are transparent in the spectral range from 600 to 16000 nm, although they manifest a number of absorption peaks located at 2844.1, 10020.0, 12853.5 and 13297.9 nm [3,4].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…So, the electric, optical and thermoelectric properties of AgGaGe 3 Se 8 indicate that it may find its practical applications in the nonlinear optics and fabrication of heterojunctions, along with wide-gap II-VI chalcogenides that are typically of n-type [5]. The studies of mixed crystals Ag x Ga x Ge 1-x Se 2 have shown that AgGaGe 3 Se 8 occupies a special position in this family and deserves further attention, especially in relation to its composition stability in the growth process [1].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%