“…Грушин 1 1 АО «НПП «Пульсар», г. Москва 2 РТУ МИРЭА, г. Москва 3 Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону, prokopenko@sssu.ru 4 Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Зеленоград I. ВВЕДЕНИЕ Комплементарные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом являются одними из основных элементов аналоговых интегральных схем, предназначенных для экстремальных условий эксплуатации: воздействие ионизирующего излучения, сверхнизкие температуры и др. [1], [2]. Использование таких транзисторов позволяет создавать уникальные интегральные схемы на основе современных схемотехнических решений: широкополосные управляемые операционные усилители, несимметричные дифференциальные усилители, мультидифференциальные усилители и др.…”