Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

Crecimiento y caracterización de Nitruro de Indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano

“…(5.1) Donde, I(0) es la intensidad integrada de la emisión a 0 K, C es una constante que tiene en cuenta los tiempos de vida de recombinación radiativa y no radiativa [128], y E act es la energía de activación térmica del proceso que produce el quenching térmico. Esta energía depende del proceso que esté teniendo lugar, y puede estar relacionada, entre otras muchas causas, con la energía de ionización térmica de un donante o un aceptor, pero también con la energía de escape de portadores en un pozo cuántico [129]. La energía de activación se puede estimar a partir de la ecuación anterior mediante una representación de Arrhenius de la intensidad integrada [130].…”

“…La energía de activación se puede estimar a partir de la ecuación anterior mediante una representación de Arrhenius de la intensidad integrada [130]. Si hay dos procesos que se activen térmicamente compitiendo al mismo tiempo para la extinción de la emisión, la expresión utilizada es [129]:…”

Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN

“…Otra de las desventajas del análisis de XRD es que obtener un perfil de aluminio en la barrera no es un análisis sencillo, y requiere de medidas más complicadas y largas en el tiempo, como el mapeo del espacio recíproco, en el que mediante medidas ω−2θ con incidencia diferentes (i.e. barriendo ángulos ω) es posible obtener la existencia de diferentes capas en profundidad [San95,Nar03].…”