Correction to: Fundamentals of High Frequency CMOS Analog Integrated Circuits

Aplicação de transistores SOI sem junções em espelhos de corrente de diferentes arquiteturas

“…Como pode ser observado, a condutância é menor para transistores de largura de fin menores, o que assegura um valor de corrente de saída mais estável e menos sensível a variações de VDS. Isso ocorre porque idealmente, a condutância é zero [92]. A literatura também descreve as diferenças entre os transistores sem junções e os transistores modo inversão no quesito condutância e transcondutância como pode ser analisado na Figura 31, onde IM representa os transistores modo inversão e JNT os transistores sem junções [15].…”

“…Para melhor elucidar qual concentração de dopantes produz uma fonte de corrente mais próxima de uma fonte constante, a Figura 44 mostra as curvas da condutância de saída (gD) em função da tensão de saída (Vout) para ND = 1 x 10 19 cm -3 e Iin/(Weff/L) = 1 μA. Como a condutância é a inclinação da reta de cada curva da Figura 43 em saturação, as menores inclinações dessas curvas, ou menores valores de condutância de um transistor (Figura 44) indicam um melhor desempenho do espelho de corrente como fonte de corrente [92]. Como consequência, no geral, os espelhos de corrente compostos por transistores de menores larguras de fin (Wfin) apresentam menores condutâncias.…”

“…Quanto ao desempenho do espelho de corrente, a condutância e a resistência de saída são parâmetros que indicam a variação da precisão de espelhamento quando há um sistema formado por um espelho de corrente em saturação [52], [92]. Assim, quanto menor a condutância (gD), ou, maior a resistência de saída de pequenos sinais (rout), mais constante é a corrente de saída do espelho de corrente.…”