“…Опыт работы с охлаждением кристалла GaAs НЕМТ до криогенных температур показал, что вымораживание фононов и уменьшение сечения «двумерного электронного газа» в полупроводниковых структурах на базе арсенида галлия приводит к росту внутренней крутизны активного элемента, уменьшению паразитных активных и реактивных сопротивлений. Указанные изменения влекут за собой не только снижение коэффициента шума и увеличение коэффициента усиления транзистора, но приводят так же к уменьшению полосы согласования и снижению коэффициента устойчивости, что было необходимо учитывать при проектировании охлаждаемых усилителей, поскольку оптимальные цепи согласования транзистора при криогенных температурах, как правило, не совпадают с оптимальными цепями согласования при нормальных условиях, и наоборот [11]. Именно поэтому было принято решение об исследовании поведения GaN НЕMT при криогенных температурах.…”