2016 24th Telecommunications Forum (TELFOR) 2016
DOI: 10.1109/telfor.2016.7818775
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Comprehensive investigation of a dynamic gate biasing technique for linearity improvement based on measurement of a 10 W GaN HEMT power amplifier

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2017
2017
2023
2023

Publication Types

Select...
2
1

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(1 citation statement)
references
References 3 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Bu bloklar pasif veya aktif olabilirler. Anahtarlar (Kaya ve Coşkun, 2013) (Kaya vd., 2008;Mohamed, 2013 (Cho vd., 2016;Zhang ve Siek 2017), Dinamik Besleme Yöntemi (DBY) (Ishikawa, 2017; ve Dinamik Kapı Besleme (DKB) yöntemleri (Gecan vd., 2016;Lasser vd., 2017) Çalışmada 50 MHz-6 GHz arasında çalışan SBB5089Z GY modülünün, değişen DC koşullara ve RFgiriş değerlerine göre, Pçıkış, G ve GEV(%) değişimleri grafiksel olarak incelenmiştir. Çalışmada RF Pçıkış dBm olarak ölçülmüş, G ve GEV(%) parametreleri Eşitlik (1) ve Eşitlik (2) formüllerine göre hesaplanmıştır (Cripps, 2002;Pozar, 2012).…”
Section: Introductionunclassified
“…Bu bloklar pasif veya aktif olabilirler. Anahtarlar (Kaya ve Coşkun, 2013) (Kaya vd., 2008;Mohamed, 2013 (Cho vd., 2016;Zhang ve Siek 2017), Dinamik Besleme Yöntemi (DBY) (Ishikawa, 2017; ve Dinamik Kapı Besleme (DKB) yöntemleri (Gecan vd., 2016;Lasser vd., 2017) Çalışmada 50 MHz-6 GHz arasında çalışan SBB5089Z GY modülünün, değişen DC koşullara ve RFgiriş değerlerine göre, Pçıkış, G ve GEV(%) değişimleri grafiksel olarak incelenmiştir. Çalışmada RF Pçıkış dBm olarak ölçülmüş, G ve GEV(%) parametreleri Eşitlik (1) ve Eşitlik (2) formüllerine göre hesaplanmıştır (Cripps, 2002;Pozar, 2012).…”
Section: Introductionunclassified