Comparison of SOI versus bulk performances of CMOS micropower single-stage OTAs

Analog performance of standard and strained triple-gate silicon-on-insulator nFinFETs

“…When the device is operating in strong inversion, this ratio can be expressed as given by Eq. (3) [21] …”

Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação

“…Observa-se que o efeito de corpo em SOI MOSFETs totalmente depletado é menor que nos MOS convencionais, onde os valores numéricos de n seguem a ordem (FLANDRE, 1994): n SOI totalmente depletado < n MOS convencional < n SOI com segunda interface em acumulação A consequência da diminuição do efeito de corpo pode ser observada pela maior intensidade de corrente de dreno em relação a dispositivos convencionais (COLINGE, 2004;LIM, 1984), como pode ser observado nas equações de primeira ordem da corrente de dreno: a) triodo:…”

“…Portanto a razão gm/IDS em SOI MOSFETs totalmente depletados é maior que em SOI MOSFETs parcialmente depletados e transistores MOS convencionais (FLANDRE, 1994). Pode-se notar que para o transistor operando em inversão fraca há a dependência inversa em relação à temperatura, o transistor operando em inversão forte há a dependência indireta com a temperatura, através da raiz quadrada da mobilidade.…”

Modelagem, simulação e caracterização elétrica da associação série assimétrica de transistores SOI

“…Os dispositivos SOI totalmente depletados exibem maior ganho de tensão em relação aos transistores bulk MOS devido a sua maior razão g m /I D (FLANDRE et al, 1994 , 1996).…”

“…Considerando a mesma capacitância de carga e polarização de corrente de dreno, o transistor SOI totalmente depletado incrementa a frequência de ganho de tensão unitário entre 17 a 36% em comparação com o transistor bulk MOS, graças a sua maior razão g m /I D (FLANDRE et al, 1994). …”