Comparison between TiAl and TiAlNiAu ohmic contacts to n-type GaN

Processes during annealing of Ti–Al–Ni and Ti–Al–Ni–Au contact metallization systems

“…То есть все три металла образовали между собой интерметаллидные химические соеди-нения и соответствующие им фазы. Это согласуется с результатами, полученными, например, в работах [5,7] методом рентгеновского послойного анализа (XPS), выявившим, что первоначально слоистая структура после отжига превращается благодаря взаимной диффузии в слой соединений этих металлов. Одновременно с изменениями сопротивления металлизации произошли изменения внешнего вида и морфологии поверхности металлизации в резуль-тате отжига (табл.…”

Processes During Annealing of Ti—Al—Ni and Ti—Al—Ni—Au Contact Metallization Systems

“…Действительно, во многих работах показано, что во время отжига при 900 °С уже за 30 с [5] проис-ходило перемешивание титана, алюминия, никеля и золота в четырехслойной системе металлизации. Как уже было показано выше (см.…”

“…3), матовость которой была обусловлена куполообразными выступами. Природу этих выступов установили в работах [5,9,10]: сплав Ni-Al и расплав сплава Au-Al не растворяются взаимно, а образуются преципитаты -большие зерна сплава Ni-Al, окруженные расплавом спла-ва Au-Al. Преципитаты распределены случайно и имеют различные размеры.…”

“…Измеренная высо-та неровностей превышает 300 нм [1][2][3][4], что создает проблемы при проведении последующих литографических процессов из-готовления прибора. Существуют различные мнения о причинах этой проблемы, в том числе -предположение об агломерации расплавленного алюминия при температурах отжига выше тем-пературы плавления алюминия [1,2,5]. В работе [6] было установ-лено, что на поверхности двух-слойной металлизации Ti/Al после ее отжига возникают неровности в виде шероховатости с разностью между выступами и впадинами Ванюхин Кирилл Дмитириевич -инженер; Захарченко Роман Викторович -инженер; Каргин Николай Иванович -доктор технических наук, профессор, первый заместитель директора ИФЯЭ; Пашков Михаил Викторович -аспирант; Сейдман Лев Алексан-дрович -кандидат техн.…”

Influence of fabrication steps on optical and electrical properties of InN thin films

“…The Ti/ Al/Ni/Au scheme is fairly standard for «-GaN giving very low electrical contact resistance and high temperature stability [24,25]. This is the reason why it was chosen for the ohmic contact on InN layer.…”