Comment on the Determination of the Midgap Density of States in Amorphous Semiconductors Using the Space‐Charge‐Limited‐Current Method

Abstract

It is pointed out that the determination of the midgap density of states in amorphous semiconductors using the space-charge-limited-current method is reliable only when the density of states is less than 10'' ern+ eV-l and the electrode spacing is in the order of pm. Beyond these restrictions the current will be affected by the Poole-Frenkel effect which will distort the determination of density of states from current-voltage characteristics.Es wird gezrigt, da5 die Bestimmung der Midgap-Zustandsdichto in aniorphen Halbleitern mittels rauinlndungsbegrenzten Stromen niir giiltig ist, wenn die Dichte der Zustande geringer als 10'7 0131-3 eV-1 ist und der Elektrodenabstand in der GroDenordnung pm ist. AuBerhalb dieser Beschrankungen wird der Strom durch den Poole-Frenkel-Effekt beeinfluBt, der die Bestimmung der Zustandsdichte aus Strom-Spannungscharakteristiken stort.