Combined low-temperature photoluminescence and thermally stimulated current studies in Cu3In5S9 layered single crystals

Квазибинарный разрез CuInS 2 –FeIn 2 S 4

“…Изучение систем на основе халькогенидов тяжелых металлов представляет интерес в связи актуальностью разработки новых полупроводниковых материалов с различными функциональными свойствами. К ним относятся системы на основе соединений групп I-III-VI (где I -Cu, Ag; III -AI, Ga, In; VI -S, Te) [1][2][3][4][5][6][7][8]. Тройное соединение FeIn 2 S 4 относится к группе разбавленных магнитных полупроводников, которые привлекают внимание в связи с перспективностью их использования для спинтроники [9][10][11][12], изготовления диодов Шоттки, переключателей, лазеров, управляемых магнитным полем, модуляторов света и других устройств [13][14][15][16].…”

Особенности динамики спектра фотолюминесценции кристалла Cu-=SUB=-3-=/SUB=-In-=SUB=-5-=/SUB=-S-=SUB=-9-=/SUB=- при изменении интенсивности лазерного возбуждения

“…Спектры фотолюминесценции кристалла Cu 3 In 5 S 9 при температурах 4.2−80 K исследованы в работе [6]. Спектры охватывают интервал энергии электромагнитных волн 1.2−1.6 eV и состоят из одного пологого пика.…”