Colloidal indium tin oxide nanoparticles for transparent and conductive films

Cho, Young-Sang; Yi, Gi‐Ra; Hong, Jeong-Jin; Jang, Se-Hwan; Yang, Seung‐Man

doi:10.1016/j.tsf.2006.07.022

Cited by 49 publications

(25 citation statements)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Diantara teknik tersebut, teknik-teknik pembuatan film secara fisika seperti sputtering, electron beam evaporation, pulsed laser deposition, dan physical vapor dilaporkan memiliki kekurangan yaitu luas daerah pembentukan film kecil, membutuhkan instrumen yang canggih, biaya operasi yang tinggi, dan setiap sudah digunakan sistem harus sangat bersih (Shinde et al, 2007). Teknikteknik pembuatan film secara kimia seperti chemical vapor deposition dilaporkan tidak memadai untuk produksi film secara besar-besaran karena membutuhkan peralatan tambahan seperti vacuum equipment (Young et al, 2006). Pada penelitian ini, dilakukan studi pembuatan film ZnO dengan doping alumunium rendah (ZnO:Al, Al/Zn = 1,0 x 10 -2 ) dengan teknik screen printing pada temperatur anealing 300, 400, 500 dan 600 o C. Teknik screen printing dipilih karena prosesnya mudah dan telah digunakan untuk memproduksi sel surya, paristor, detektor UV (Krisnan dan Nampoori, 2005; Overstraeten dan Mertens, 1986).…”

Section: Pendahuluanunclassified

PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING TERHADAP STRUKTUR MIKRO, SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS OKSIDA KONDUKTIF TRANSPARAN ZnO:Al YANG DIBUAT DENGAN TEKNIK SCREEN PRINTING

P.Sinaga

2015

JPMIPA

View full text Add to dashboard Cite

ABSTRAKFilm tipis ZnO:Al transparan telah dibuat dengan menumbuhkannya di atas substrat dari kaca mikroskop dengan menggunakan metode sol gel teknik screen printing. Partikel ZnO:Al dibuat dengan cara mencampurkan ZnAc dengan Aluminium nitrat nanohidrat ( Al/Zn = 1.0x10-2 ) dalam larutan etanol dan dietilen glikol (etanol/DEG = 1/3). Pasta ZnO:Al yang terbentuk dicetakkan pada substrat kaca dan masing masing di anealing pada temperatur 300 hingga 600 o C. Hasil karakterisasi XRD mengindikasikan struktur kristal wurtzite ZnO dengan parameter kisi a = 3,249953 Å dan c = 5,241091 Å. Hasil pemotretan SEM memperlihatkan film oksida konduktif transparan ZnO:Al yang terbentuk memiliki struktur morfologi permukaan butiran dan berpori, dimana semakin tinggi temperatur anealing semakin besar ukuran butir. Hasil pengukuran four-point probe menunjukan bahwa resistivitas film ZnO:Al minimum ialah 0,87 Ω·cm untuk film yang dibakar pada temperatur anealing 500 ºC. Hasil pengukuran spektroskopi UV-Vis memperlihatkan semua sampel ZnO:Al memiliki transmitansi cahaya yang tinggi yaitu antara 70-90 %.

show abstract

Section: Pendahuluanunclassified

PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING TERHADAP STRUKTUR MIKRO, SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS OKSIDA KONDUKTIF TRANSPARAN ZnO:Al YANG DIBUAT DENGAN TEKNIK SCREEN PRINTING

P.Sinaga

2015

JPMIPA

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Doped SnO 2 has many potential applications. In particular, it¯nds to be useful in gas sensors, 1 solar energy conversion, 2 infraredre°ecting glasses, 3 antistatic coatings 4 and transparent electrodes 5,6 due to its wide band-gap width, high optical transmittance in the visible range and good substrate adherence. It has to be stated that compared to more widely used tin-doped indium oxide, SnO 2¯l ms are inexpensive, chemically stable in acidic and basic solutions, thermally stable in oxidizing environments at high temperatures and also mechanically strong, which are important attributes for the fabrication and operation of solar cells.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

DFT calculations of tin dioxide crystals containing heavily-doped fluorine

Marcillo

Stashans

2014

J. Theor. Comput. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

First-principles calculations based on the density functional theory (DFT) within the generalized gradient approximation have been used in the present research. Fluorine doping in the SnO 2 crystals has been carried out considering a number of different defect concentrations. Dopant influence upon structural, electronic and electrical properties of the tin dioxide has been discussed in detail. The system presents n-type electrical conductivity relating our work directly to a number of empirical studies in this area. An experimental fact that n-type conductivity tends to decrease at rather high fluorine impurity rates has been explained at the theoretical level.

show abstract

“…The doped SnO 2 , due to its wide band gap (3.67 eV), high optical transmittance in the visible range and good substrate adherence, has many potential applications such as gas sensors [6], solar energy conversion [7], infrared-reflecting glass [8], antistatic coatings [9] and transparent electrode preparation [10,11]. F [12], Sb [13], Ni [14], Co [15], Mn [16], etc., have been used as dopants for SnO 2 .…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%