CNTFET full-adders for energy-efficient arithmetic applications

Grailoo, Mahdieh; Hashemi, Mona; Haghshenas, Kawsar; Rezaee, Shima; Rapolu, Swetha; Nikoubin, Tooraj

doi:10.1109/icccnt.2015.7395198

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“…However, advantaging from the small threshold voltage near zero, the threshold voltage drops for both n-type and p-type CNT pass transistors are much smaller than their conventional silicon counterparts, which show threshold voltages that are typically ten times larger [18], [19]. Fundamentally, these high-performance CNT pass transistors, many types of high-performance logic Integrated Circuits can be designed with a Pass Transistor Logic configuration [20], [21].…”

Section: Carbon Nanotube Field Effect Transistor (Cntfet) Implementat...mentioning

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Multiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOS

2020

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En los últimos años, según muchos estudios, el transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET)mostró un alto rendimiento en muchos circuitos lógicos debido a sus propiedades y en comparación con otros homólogos desilicio. Sin embargo, garantizar estos beneﬁcios sigue siendo un desafío para la aplicación de circuitos integrados a nanoescala.Debido a sus excelentes características eléctricas y mecánicas, CNTFET es uno de los sustitutos más prometedores de latecnología de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Aunque estas característicasson adecuadas para implementar en varios circuitos digitales prácticos, los circuitos basados en CNTFET resolverán enormesproblemas de fabricación debido a su tamaño. En este artículo, mostramos que se podría obtener una simpliﬁcación importantemediante el diseño de circuitos integrados basados en CNTFET a través de una conﬁguración lógica de transistor de paso tipoCMOS en el uso de transistores de efecto de campo, en lugar de la conﬁguración tradicional de semiconductores de óxidode metal complementario (CMOS). La conﬁguración PTL similar a CMOS crea una simpliﬁcación notable del diseño delcircuito basado en CNTFET, una mayor velocidad del circuito y una gran reducción en el consumo de energía. Hay muchosproblemas que se enfrentan al integrar un alto nivel de muchos transistores, como el efecto de canal corto, la disipaciónde potencia, el escalado de los transistores, etc. Para superar estos problemas, los Nanotubos de Carbono (CNT) tienenaplicaciones prometedoras en el campo de la electrónica. Los resultados de la simulación presentados y el consumo de energíaen comparación con los diseños CMOS convencionales. La comparación de resultados probó que el diseño basado en CNTFETes capaz de ahorrar energía de manera eﬁciente y un rendimiento de alta velocidad.

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