Çift Bantlı RF Enerji Hasadı İçin Toplu Eleman Devre Yapıları

Abstract

ÖzRF enerji hasadı, ortamda bulunan elektromagnetik sinyalleri kullanarak DC enerji üretmektedir. Günümüzde elde edilen enerjiyi arttırmak amacıyla çoklu frekansta RF enerji hasadı çalışmaları yapılmaktadır. Bu çalışmada, çift bantlı RF enerji hasadı için tek empedans uyumlama yapısı ve her bir frekans için ayrı ayrı L tipi empedans uyumlama yapısı çıkış voltaj ve verimleri göz önüne alınarak karşılaştırılmıştır. Simülasyonu yapılan frekans bantları ortamda bulunma yoğunluğu yüksek olan GSM 900 ve GSM 1800 bantlarıdır, bu nedenle 900 MHz ve 1800 MHz frekansları kullanılmıştır ve gerilim çoklayıcı olarak iki kademe Dickson gerilim çoklayıcı seçilmiştir. Çoklu bant empedans dönüştürücü için indüktör ve kapasitörlerden oluşan toplu eleman devre yapıları seçilmiştir. Böylece empedans uyumlama devresi çift bantta yükten kaynağa olan yansımaları bastırmıştır ve maksimum güç transferi sağlanmıştır.