ChemInform Abstract: ION‐IMPLANTED GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE SURFACES

Abstract

Elektronenmikroskopische Untersuchungen der thermisch bedingten Veränderungen der Oberflächenbeschaffen‐ heit von GaAS0,6P0,4 auf GaAs‐Substraten mit und ohne Implantation durch Zn ‐ und Ar′ ‐Ionen in Verbindung mit Untersuchungen an Proben, bei denen mit einem Ar‐Laser (4900 A) Photolumineszenz angeregt wurde, zeigen, daß die durch thermisch bedingten Lochfraß und die durch Photolumineszenz hervorgerufenen Abtragungen einen gemeinsamen Ursprung haben.