ChemInform Abstract: DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY PYROLYSIS OF SILANE IN ARGON

Abstract

Die Abscheidung von Si durch Pyrolyse von SiH4 in Ar an thermisch erhaltenen SiO2‐ Substraten wird als ein Drei‐Stufen‐Vorgang angesehen , der eine Adsorption und Zersetzung von SiH4 an der Substratoberfläche und eine Desorption von Wasserstoff aus der Oberfläche des Substrats einschließt. Diese Annahme wird experimentell bestätigt.