Characterization of reverse leakage components for ultrashallow p+/n diodes fabricated using gas immersion laser doping

Kramer, K.; Talwar, S.; McCarthy, A.M.; Weiner, Kevin S.

doi:10.1109/55.537075

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“…For the source and drain in the thin Si film, an effective activation process is required. The effective doping results of low resistance have been obtained by ELA 16,17) (Fig. 4).…”

Section: High Quality A-si Film and Subsequent Elcmentioning

confidence: 99%

Low-Temperature Process for Advanced Si Thin Film Transistor Technology

Noguchi

Kwon

Jung

et al. 2006

jjap

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High-resolution electrical resistivity data ( p , d p / d T ) revealed a fascinating succession of fluctuating modes and magnetic phases in Gd,_,Y, crystals at the onset of helimagnetism (x, -0.3). An improved magnetic phase diagram is proposed uhich contains two multicritical points near x,. Our data refute the suggested existence of a Lifshitz point in G d , -xY, at ,Y-0.3. i.e. the coexistence of ferromagnetic. paramagnetic and helimagnetic (q+ 0) phases.

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“…For the source and drain in the thin Si film, an effective activation process is required. The effective doping results of low resistance have been obtained by ELA 16,17) (Fig. 4).…”

Section: High Quality A-si Film and Subsequent Elcmentioning

confidence: 99%

Low-Temperature Process for Advanced Si Thin Film Transistor Technology

Noguchi

Kwon

Jung

et al. 2006

jjap

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“…Il a été montré expérimentalement [1,[5][6][7][8][9][10][11] que le dopage laser est capable d'apporter des solutions très attractives au problèmes de dopage ultra-mince soulignés par l'ITRS. Le procédé laser peut aussi se limiter au traitement par fusion /solidification de zones préalablement dopées par implantation basse énergie: dans ce cas, l'expérience est faite sous vide.…”

Section: Le Procede De Dopage Laserunclassified

Dopage laser pour la microélectronique du futur

et al. 2001

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Résumé: La microélectronique sur silicium continuera à évoluer, dans les 10 à 15 ans qui viennent, vers des degTés d'intégration et de complexité de plus en plus importants. Cette évolution implique une réduction continue des dimensions du transistor MOSFET, dont la largeur de grille ne sera plus, dans une dizaine d'années, que de 50 nm. Pour suivre cette évolution, il faut être capable de réaliser des jonctions de plus en plus minces (jusqu'à ~ 10 nm pour une largeur de grille de 50 nm), avec des concentrations en dopants actifs de plus en plus élevées et des profils de plus en plus abrupts. Les techniques de dopage habituelles, basées sur une implantation ionique suivie d'un recuit thermique, rencontrent de grandes difficultés pour atteindre ces performances. Nos expériences montrent que la technique de dopage laser offre une solution très intéressante à la réalisation de jonctions ultra-fines. EVOLUTION DE LA M1CROELECTRONIQUE SILICIUM ET DOPAGE ULTRA-MINCELa progression exponentielle des performances de la microélectronique sur silicium suit la loi de Moore depuis une trentaine d'années: réduction des dimensions des composants élémentaires, augmentation du nombre de transistors par circuit, accroissement de la complexité et de la rapidité des systèmes intégrés. L'International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) [1] prévoit que cette progression persistera encore dans les 10 à 15 ans à venir. Cette évolution entraîne inéluctablement la microélectronique vers le monde des nanotechnologies et implique l'avènement de nouveaux concepts, matériaux, dispositifs et technologies. Cependant, l'élément de base de la microélectronique restera encore pendant des années le transistor MOSFET dont les dimensions continueront à diminuer inexorablement. La largeur de grille du MOSFET, qui sert de référence pour qualifier le niveau atteint par la technologie dans la réduction des dimensions, est aujourd'hui de « 180 nm. Selon les prévisions de l'ITRS, elle ne sera plus que de » 100 nm en 2005, et de 35 nm en 2014. Pour qu'un tel transistor puisse fonctionner avec les performances attendues, il reste une somme énorme de problèmes physiques et technologiques à résoudre.L'un des verrous technologiques soulignés par l'ITRS est la formation de jonctions ultra-fines correspondant aux extensions de la source et du drain du MOSFET. Ces extensions jouent un rôle capital sur le fonctionnement du transistor. En effet, la réduction des effets dus au raccourcissement du canal de conduction, la minimisation des résistances série ou parasites ainsi que des courants de fuite, imposent des contraintes drastiques sur le dopage de la source et du drain, et, tout particulièrement, de leurs extensions [1,2]. Selon les projections de l'ITRS pour 2014, les épaisseurs de ces extensions devront diminuer jusqu'à ~ 10 nm, leur résistivité superficielle devra être inférieure à 400 fî/Q, avec des profils aussi carrés et abrupts que possible et des gradients qui devront devenir inférieurs au nm/décade. Ces caractéristiques impliquent des concentr...

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“…6,7) Efficient activation of doped Si film can be attained by SPC using a furnace tube, rapid thermal annealing (RTA) or by using ELA of an ultraviolet (UV) pulse beam. [8][9][10][11] In particular, ELA activation which can heat up the Si film layer rapidly without producing thermal damage on the substrates is expected as a promising technique because of its mechanism of instantaneous melting, which is compatible with ultralow temperature process on plastic as well as on a glass substrate. A detailed study on the ultralow temperature activation performed subsequently after ion implantation or ion shower doping should be carried out from the viewpoint of crystallization by adopting nondestructive optical analysis techniques.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effective Dopant Activation in Silicon Film Using Excimer Laser Annealing for High-Performance Thin Film Transistors

Noguchi¹

2008

jjap

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Ultrashort light-matter interactions between a linear chirped pulse and a biased semiconductor thin film GaAs are investigated. Using different chirped pulses, the dependence of infrared spectra on chirp rate is demonstrated for a 5 fs pulse. It is found that the infrared spectra can be controlled by the linear chirp of the pulse. Furthermore, the infrared spectral intensity could be enhanced by two orders of magnitude via appropriately choosing values of the linear chirp rates. Our results suggest a possible scheme to control the infrared signal.

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Characterization of reverse leakage components for ultrashallow p+/n diodes fabricated using gas immersion laser doping

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Low-Temperature Process for Advanced Si Thin Film Transistor Technology

Low-Temperature Process for Advanced Si Thin Film Transistor Technology

Dopage laser pour la microélectronique du futur

Effective Dopant Activation in Silicon Film Using Excimer Laser Annealing for High-Performance Thin Film Transistors

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