Lattice matched (Ca, Sr)F, and related fluoride films grown on (100)GaAs substrates were investigated by Rutherford backscattering/Channeling. This technique allows the characterization of the 30-250 nm thick heteroepitaxial layers with respect to chemical composition, film thickness, interface roughness and crystalline perfection. The first flash evaporated GaAs/fluoride/GaAs structure are briefly reported.GitterangepaBte (Ca, Sr)F,-und verwandte Fluorid-Schichten auf (100)GaAs-Substraten wurden niittels Rutherford-Ruckstreuung/Kanalisierung untersucht. Diese Methode gestattet eine Charakterisierung der 30 bis 250 nm dicken Heteroepitaxieschichten hinsichtlich cheinischer Zusammensetzung, Schichtdiclre, Rauhigkeit der Interface und Kristallperfektion. Uber erste init dem Flash-Verfahren hergestellte GaAs/Fluorid/GaAs-Strukturcn wird kurz berichtet.