Certain features of semiconductor behaviour in strong parallel magnetic and electric fields. IV. Zener tunnelling

Abstract

An expression is derived for the tunnelling current density in a semiconductor subjected t o a strong magnetic field parallel to an electric field, in regard to the Wannier-Stark levels generated in a n electric field. Tunnelling in InSb under magnetic field is investigated.Es wird ein Ausdruck fur die Tunnelstromdichte in einem Halbleiter, der einem starken Magnetfeld parallel zu einem elektrischen Feld ausgesetzt ist, bezuglich der in einem elektrischen Feld hervorgerufenen Wannier-Stark-Niveaus untersucht. Das Tunneln in InSb unter EinfluS eines Magnetfeldes wird untersucht.