CdSe semiconducting layers produced by pulse electrolysis

Abstract

Thin films of CdSe semiconductors electro deposited from acid aqueous electrolytes onto Ti sub strates have been developed using periodically modified currents, such as pulse current. The products obtained were fully characterized and their photoelectric behavior was studied using a photo electro chemical cell. All deposits obtained by pulse electrolysis exhibit some differences in their structure, surface morphology and photoelectric properties, depending on the imposed pulse current parameters such as pulse frequency and duty cycle. It was also found that increased photoelectrochemical efficiencies are observed to so higher pulse frequencies as more negative deposition potentials are applied and vice-versa.

METHODS OF OBTAINING OF CdS AND CdSe FILMS AND HETEROSTRUCTURES ON THEIR BASIS. REVIEW

“…Незважаючи на численні дослідження з одержання плівкових покрить різними фізичними (вакуумне напилення, спікання, сіткотрафаретний друк та ін.) [1][2][3][4][5][6], хімічними (електрохімічне осадження, хімічне осадження з ванн, піроліз тощо) [7][8][9] та комбінованими (реактивне іонне розпилення, реактивне випаровування) методами [4, [10][11][12][13], промисловому впровадженню фоточутливих структур на плівковій основі заважає висока вартість їхнього виготовлення. Тому метою роботи є вибір раціонального способу одержання напівпровідникових матеріалів типу А ІІ B VI , зокрема, плівок CdS та CdSe з водних розчинів кадмійвмісних солей за результатами порівняння оптичних, морфологічних та структур-них властивостей плівок, що дасть змогу розв'язати проблему зменшення вартості й підвищення ефективності перетворення сонячних елементів.…”

“…Метод електрохімічного осадження (електроліз) полягає у відновленні компонентів сполуки на катоді або перетворенні поверхні певного електрода в електроліті внаслідок перебігу окисно-відновних реакцій на електродах під дією електричного струму [7]. В результаті одержують товсті (більше за 10 мкм) полікристалічні плівки з високими технологічними характеристиками.…”