Carrier-Transport Processes in n+-GaAs/n0-GaAs/n+-GaAs Isotype Heterostructures with a Thin Wide-Gap AlGaAs Barrier

Сліпченко, С. О.; Podoskin, A. A.; Soboleva, O. S.; Yuferev, V. S.; Golovin, V. S.; Gavrina, P. S.; Romanovich, D. N.; Miroshnikov, I. V.; Pikhtin, N. A.

doi:10.1134/s1063782620050139

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Для оценки эффективности накопления неравновесной концентрации в InGaAs квантовой яме (КЯ) использовался ток излучательной рекомбинации (I RAD ): служить домен сильного электрического поля за счет активной ударной ионизации [5,14,15,25]. На основании этого основные принципы формирования конструкции изотипной гетероструктуры для эффективной излучательной рекомбинации можно сформулировать следующим образом: (1) конструкция гетероструктуры должна включать часть, отвечающую за ударную ионизацию;…”

Section: описание моделиunclassified

Изотипные гетероструктуры n-AlGaAs/n-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током

Соболева¹,

Слипченко²,

Пихтин³

2021

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Проведен анализ транспорта носителей заряда при накачке током изотипной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, оптимизированной для эффективной межзонной излучательной рекомбинации. Для анализа особенностей транспорта носителей заряда использовались модели: дрейф-диффузионная, дрейф-диффузионная с полевой зависимостью подвижности, а также энергетического баланса. Показано, что при низких токах уровень излучательной рекомбинации в активной области выше в модели энергетического баланса из-за более эффективного накопления носителей, генерируемых посредством ударной ионизации. Это объясняется наличием на гетерогранице эффекта "velocity overshoot", возникающего из-за резкого изменения концентрации электронов и электрического поля на гетеропереходе, тогда как в дрейф-диффузионном приближении скорость дрейфа в данной области равна насыщенной, и наблюдается снижение потенциального барьера из-за накопления большой концентрации электронов вблизи гетероперехода. При токах >40 А уровень излучательной рекомбинации в активной области выше в дрейф-диффузионнном приближении, что объясняется более высокими значениями напряженности поля и темпа ударной ионизации в слое с доменом электрического поля. Продемонстрировано увеличение тока излучательной рекомбинации в активной области более чем на 50% до 13.5 А (при токе накачки 100 А) и максимальной внутренней квантовой эффективности до 16% (при токе 40 А) при уменьшении толщины слоя накопления неравновесных носителей заряда до 100 нм. Ключевые слова: гетероструктуры, изотипные структуры, ударная ионизация, модель энергетического баланса, излучательная рекомбинация.

show abstract

Section: описание моделиunclassified