Calculation of the concentration profile of copper in the TiN/CoSi2/Si system during thermal heating

Синтез тонких пленок TiN, Ti и TiSi-=SUB=-2-=/SUB=- для контактной системы солнечных элементов

“…Медь (Cu), обладающая низким удельным сопротивлением (1.67 • 10 −6 • cm) и повышенной устойчивостью к электромиграции [1][2][3], привлекает все большее внимание в качестве материала металлизации. Так как сборка полупроводниковых приборов и солнечных батарей происходит при повышенных температурах, то медь диффундирует в кремниевую подложку, приводя к отказу в работе приборов [3,4]. Медь образует в запрещенной зоне кремния глубокие уровни, на которые захватывает носители заряда, приводя к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда.…”

“…Медь образует в запрещенной зоне кремния глубокие уровни, на которые захватывает носители заряда, приводя к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда. Необходимо создавать диффузионные барьеры между медной металлизацией и кремниевой подложкой [1,3,4]. Для этой цели исследователями были исследованы взаимная диффузия и реакция с медью пленок TiN [1,4,5] [9,10].…”

“…Необходимо создавать диффузионные барьеры между медной металлизацией и кремниевой подложкой [1,3,4]. Для этой цели исследователями были исследованы взаимная диффузия и реакция с медью пленок TiN [1,4,5] [9,10]. Силицидный процесс включает операции осаждения пленки Ti на Si; отжиг при температурах ниже 700 • С для взаимодиффузии атомов Si и Ti; удаление слоя TiO 2 или остаточного слоя Ti; гомогенизирующий отжиг при 800−900 • С [11].…”