Broadband dielectric spectroscopy of CuInP₂Se₆ crystals

Abstract

In this article mixed CuInP2(SxSe1−x)6 crystals were investigated by broadband dielectric spectroscopy (20 Hz -3 GHz). The complete phase diagram has been obtained from these results. The phase diagram of investigated crystals is strongly asymmetric -the decreasing of ferroelectric phase transition temperatures in CuInP2(SxSe1−x)6 is much more flat with small admixture of sulphur then with small admixture of selenium. In the middle part of the phase diagram (x=0.4-0.9) the dipolar glass phase has been observed. In boundary region between ferroelectric order and dipolar glass disorder with small amount of sulphur (x=0.2-0.25) at low temperatures the nonergodic relaxor phase appears. The phase diagram was discussed in terms of random bonds and random fields.

Metal Thio‐ and Selenophosphates as Multifunctional van der Waals Layered Materials

“…and H 2 storage (e.g.,). However, we also observe that a large number of papers date back to the 1980s to late 1990s, and that only very recently has interest in these materials reemerged (e.g …”

Dielectric spectroscopy of CuBiP2S6 crystals

“…In disorder (high temperature) phase, metal cations exhibit high mobility and can migrate through the lattice. This is main cause of high ionic conductivity in these and similar compounds [5]. In this paper we presented the broadband dielectric properties of similar newly synthesized CuBiP 2 S 6 crystals in wide temperature (300-20 K) range.…”

THE PECULIARITIES OF DIALECTRIC BEHAVIOR IN PHASE TRANSITION IN THE LAMELLAR CuInP₂S(Se)₆ FERROELECTRICS

“…Дослідженню фазових переходів (ФП) діелектричними методами в шаруватих сегнетоелектриках CuInP 2 S(Se) 6 присвячено в літературі кілька робіт [1,2]. Діелектрична спектроскопія, виконана в широкому частотному інтервалі в кристалі CuInP 2 S 6 , виявила релаксаційну м'яку моду, яка лежить в МГц-вому частотному діапазоні відповідно до концепції ФП типу «порядок-безпорядок».…”

“…Полідисперсний характер релаксації з α=0.14 має місце далеко від ФП -20-25 K вище Т с . З наближенням до ФП α збільшується і досягає значення 0.40 при Т с [2]. При цьому слід зазначити, що діелектрична проникність в цьому кристалі в області ФП значно вища в порівнянні з CuInP 2 S 6 .…”

“…У зв'язку з тим, що в процесі росту методом хімічних транспортних реакцій важко забезпечити умови стехіометричності для кристалів CuInP 2 S(Sе) 6 (навіть кристали з одної ростової ампули трохи відрізняються за властивостями) [4] [2]. Привертає до себе увагу той факт, що незважаючи на те, що вимірювальна частота в експерименті 10 кГц знаходиться далеко за межами частотного інтервалу, в якому спостерігається фундаментальна діелектрична дисперсія, пов'язана з процесами упорядкування (10 8 -10 10 Гц), з наближенням до ФП з боку параелектричної фази спостерігається збільшення діелектричних втрат від температур ∼Т с + 7 К. При цьому в такого типу зразках максимум ε'', як видно з рис.…”