Behavior of BAW devices at high power levels

Aigner, Robert; Huynh, Ngoc-Hoa; Handtmann, Martin; Marksteiner, S.

doi:10.1109/mwsym.2005.1516620

Cited by 68 publications

(20 citation statements)

References 2 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…A decrease of the series resonance frequency as the excitation amplitude increases has been observed in the case of an AlN stack crystal filter (Ketcham et al, 1988). The intermodulation effect consists, for example, in measuring some harmonic components of the response to a sinusoidal excitation (Nosek, 1999;Aigner et al, 2005;Ketcham et al, 1988). The shift of the series resonance frequency as a function of bias voltage is the bias-frequency effect (Aigner et al, 2005).…”

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 96%

“…20). A high power fed into the BAW resonator produces three nonlinear effects, namely: the amplitude-frequency effect, the intermodulation effect, and the bias-frequency effect (Nosek, 1999;Aigner et al, 2005). The amplitude-frequency effect is illustrated by the series resonance frequency increase as excitation amplitude increases for a quartz resonator (Fig.…”

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 99%

“…The intermodulation effect consists, for example, in measuring some harmonic components of the response to a sinusoidal excitation (Nosek, 1999;Aigner et al, 2005;Ketcham et al, 1988). The shift of the series resonance frequency as a function of bias voltage is the bias-frequency effect (Aigner et al, 2005). The linear parametric model in Fig.…”

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 99%

See 2 more Smart Citations

Modeling and Simulation of Piezoelectric Devices

Marin¹,

Constantinescu²,

Maricaru³

et al. 2008

Modelling and Simulation

View full text Add to dashboard Cite

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 96%

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 99%

Section: Circuit Models For Power Baw Resonators and Filtersmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Modeling and Simulation of Piezoelectric Devices

Marin¹,

Constantinescu²,

Maricaru³

et al. 2008

Modelling and Simulation

View full text Add to dashboard Cite

“…Currently the piezoelectric effect is not strong enough to change the center frequency significantly. For instance for BAW filters typically the frequency change is less than 20 ppm/V [33] which means 0.2% variation at the resonance frequency even if we apply a DC voltage of 100V. There is an active research community proposing new materials and implementation techniques, however widely tunable acoustic wave filters are not yet available [34].…”

Section: Rf Tunable Filtering Possibilitiesmentioning

confidence: 99%

Switched-RC radio frequency N-path filters

Ghaffari¹

View full text Add to dashboard Cite

i SamenvattingAfstembare filters zijn zeer gewenst voor mobiele radio communicatie en de wens bestaat deze op chip te realiseren samen met de overige benodigde zend-en ontvangst hardware. Vooral nu mobiele apparaten vele verschillende draadloze communicatie mogelijkheden dienen te ondersteunen (denk bv. aan GSM, Bluetooth, WiFi, UMTS) geïntegreerd op één chip, is er dringend behoefte aan afstembare filters. Ook groeit het mobiele internet gebruik enorm, zodat behoefte bestaat aan programmeerbare radio hardware die op een slimmere manier met het schaars beschikbare radio spectrum omgaat. Dit heeft geleid tot het concept van een "cognitieve radio", een stuk radio hardware dat op een intelligente manier dynamisch het spectrum gebruikt. Zo'n cognitieve radio vraagt om flexibel programmeerbare afstembare filters en meer algemeen "software defined radio" (SDR) hardware.Het beperkte dynamische bereik van radio ontvangers vraagt om filtering van het radiosignaal direct bij de antenne. Dit filter dient de sterke ongewenste stoorsignalen te onderdrukken, die anders de radio ontvanger zodanig zouden oversturen dat door sterke vervorming betrouwbare draadloze communicatie onmogelijk wordt. Traditioneel wordt de filtering geïmplementeerd via aparte zgn. Surface Acoustic Wave (SAW) filters of Bulk Acoustic Wave (BAW) filters. Deze zijn echter relatief groot en duur vergeleken met een schakeling op een chip. Bovendien zijn ze voor een SDR grotendeels ongeschikt, daar ze een vaste (niet-afstembare) filter overdracht hebben. Op chip kunnen weliswaar LC filters gerealiseerd worden maar de kwaliteitsfactor Q van geïntegreerde spoelen is problematisch laag, terwijl "Qenhancement" en "gm-C" filter technieken een te beperkt dynamisch bereik hebben. Er bestaat dus een duidelijke onderzoek uitdaging om tot integreerbare flexibel programmeerbare filters te komen met een groot dynamisch bereik.In dit proefschrift worden zogenaamde "N-path" filters op basis van geschakelde RC circuits onderzocht. Deze filters gedragen zich als resonator voor frequenties rond hun schakelfrequentie, waarbij het mogelijk is zeer selectieve banddoorlaat of bandrejectie filters te maken. Het N-path filter concept past goed bij SDR omdat de filter frequentie digitaal te programmeren is via de schakelfrequentie, d.w.z. via een ii digitale programmeerbare klokfrequentie. Omdat nieuwe CMOS technologieën meer capaciteit per oppervlakte kunnen bieden, terwijl MOS schakelaars een lagere weerstand met minder parasitaire capaciteit kunnen hebben, profiteren N-path filters van Moore's law.Om de haalbaarheid van N-path filter voor SDR aan te tonen, is een 4-path differentieel switched RC banddoorlaat filter gerealiseerd, een 8-path single-ended filter en ook een differentieel bandstop (notch) filter, alle in 65nm CMOS technologie. Via mathematische analyse zijn de relevante filter overdrachten en ook diverse imperfecties geanalyseerd voor zowel N-path banddoorlaat en notch filters. Het geïmplementeerde banddoorlaat filter vertoont een gemeten IIP3 in-band >+14 dBm met ee...

show abstract

“…The bias dependence has been investigated before [42,43]; however, an explanation for the observed effect was not given. Others discussed the strain dependence of the parameters extensively [44,45], however, they did not discuss the effect on the impedance curves.…”

Section: Resonator Modelmentioning

confidence: 99%

Tailoring strain in microelectronic devices

Hemert¹

View full text Add to dashboard Cite

Behavior of BAW devices at high power levels

Cited by 68 publications

References 2 publications

Modeling and Simulation of Piezoelectric Devices

Modeling and Simulation of Piezoelectric Devices

Switched-RC radio frequency N-path filters

Tailoring strain in microelectronic devices

Contact Info

Product

Resources

About