Atomic layer deposition grown composite dielectric oxides and ZnO for transparent electronic applications

Gierałtowska, S.; Wachnicki, Ł.; Witkowski, B.S.; Godlewski, M.; Guziewicz, E.

doi:10.1016/j.tsf.2011.10.151

Cited by 51 publications

(36 citation statements)

References 22 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Пропускання плiвок ZnO : Al було на тому ж рiвнi або трохи вище в порiвнян-нi з плiвками ZnO. Детально результати розробки АПО технологiї для отримання прозорих провiд-них плiвок ZnO i ZnO : Al та результати їх дослi-дження представленi в роботах [1,[15][16][17][18][19][20].…”

Section: технологIя нанесення I властивостI плIвок Zno I Zno : Alunclassified

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Semikina

2018

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзую-ться технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ши-рина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована техноло-гiя виготовлення омiчного контакту до -CdTe на основi виродженого напiвпровiдника Cu S. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними про-вiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO : Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO : Al плiвок, отрима-них методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено тов-щини шарiв CdS ( = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та Cu S (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть ( = 1,75-1,89%) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики. К л ю ч о в i с л о в а: метод квазi-замкненого простору, CdS/CdTe сонячнi елементи, Cu S омiчний контакт, провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO : Al. ВступПошук альтернативних джерел енергiї стимулює науковi розробки, спрямованi на створення висо-коефективних i дешевих сонячних елементiв (СЕ). Особливий iнтерес викликають сонячнi елементи на основi тонких плiвок. Тонкоплiвковi сонячнi елементи (ТСЕ) стають конкурентноздатними в порiвняннi з кремнiєвими (монокристалiчними та полiкристалiчними) завдяки своїй дешевизнi i до-сягнутим високим значенням ефективностi [1]. Со-нячнi панелi з телуриду кадмiю (CdTe) за обся-гом виробництва йдуть другими пiсля кремнiєвих елементiв. У 2016 роцi для сонячних елементiв на основi CdTe вдалося подолати значення ефектив-ностi 16,5%, яке трималося впродовж останнiх 10 рокiв. В роботi [2] представленi такi значення па-раметрiв ТСЕ на основi CdS/CdTe (при освiтленнi © Т.В. СЕМIКIНА, 2018 1000 Вт/м 2 (АМ1,5), температурi 25 ∘ С): ефектив-нiсть 21,0 ± 0,4%, область апертури 1,0623 см 2 , на-пруга холостого ходу хх = 0,8759 В, струм ко-роткого замикання кз = 30,25 мА/см 2 , фактор заповнення = 79,4%. Для модулiв наземно-го призначення з тонкоплiвковими CdS/CdTe СЕ отриманi такi данi за умови освiтлення АМ 1,5 i температурi 25 ∘ С: ефективнiсть = 18,6 ± ± 0,6%, площа апертури 7038,8 см 2 , хх = 110,6 В, кз = 1,533 А, = 74,2%. Рекордними резуль-татами для CdS/CdTe СЕ є вiдповiдно значення:= 22,1 ± 0,5%, освiтлена область 0,4798 см 2 , хх = 0,8872 В, кз = 31,69 мА/см 2 , = 78,5% за умов вимiрювання АМ1,5 та 25 ∘ С. Технологiя виробництва CdS/CdTe СЕ придатна для широко-масштабного виробництва з таких причин [3,4]:• можливiсть використання дешевих пiдкладок на основi натрiєво-кальцiєвого силiкатного скла, якi можуть витримати температуру 500 ∘ С;

show abstract

Section: технологIя нанесення I властивостI плIвок Zno I Zno : Alunclassified

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Semikina

2018

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…For example, to apply transparent conductive electrodes in solar cells, it is necessary to get ZnO films with high conductivity (order of 10 4 Ohm·cm). Our previous investigations proved that ALD technology allows to control the films properties in a wide range via altering process parameters, in particular substrate temperature [1,[10][11]. We have determined the technological regimes for depositing the films with good structural properties [15].…”

Section: Influence Of Technological Regimes On Zno Film Propertiesmentioning

confidence: 99%

“…Furthermore, we did not observe defect related bands in the PL spectra. The surface morphology was studied by atomic force microscopy (AFM) [10]. We have found that roughness clearly depends on such parameters as growth temperature (100 to 200 ºC), thickness of the film and purging time.…”

Section: Influence Of Technological Regimes On Zno Film Propertiesmentioning

confidence: 99%

“…), the atomic layer deposition method (ALD) demonstrates several sufficient advantages (see e.g. [1,[10][11]). For example, the ALD allows deposition of very homogeneous in thickness, completely conformal and pin-hole free ZnO films on very big substrates (e.g.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…1.2×1.2 m 2 ) with the required structural properties without any plasma-related damage and atmosphere-related contaminations [12]. The ALD-grown ZnO films are highly transparent (85-90%) and conductive (order of 10 -3 Ohmcm) [10]. Moreover, ALD allows to load into the reaction chamber tens of substrates in one run, reducing the process costs considerably.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 2 more Smart Citations

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1.8S heterostructure

Semikina¹

2013

Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron.

View full text Add to dashboard Cite

Indium‐Free Fully Transparent Electronics Deposited Entirely by Atomic Layer Deposition

2016

View full text Add to dashboard Cite

Indium-free, fully transparent thin-film transistors are fabricated entirely by the atomic layer deposition technique on rigid and flexible substrates at a low temperature of 160 °C. The transistors show high saturation mobility, large switching ratio, and small subthreshold swing value. The inverters and ring oscillators show large gain value and small propagation delay time, indicating the potential of this process in transparent electronic devices.

show abstract

Atomic layer deposition grown composite dielectric oxides and ZnO for transparent electronic applications

Cited by 51 publications

References 22 publications

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1.8S heterostructure

Indium‐Free Fully Transparent Electronics Deposited Entirely by Atomic Layer Deposition

Contact Info

Product

Resources

About