Atomic layer deposited nanolaminates of zirconium oxide and manganese oxide from manganese(III)acetylacetonate and ozone

Kalam, Kristjan; Rammula, Raul; Ritslaid, Peeter; Käämbre, Tanel; Link, Joosep; Stern, Raivo; Vinuesa, Guillermo; Dueñas, S.; Castán, Helena; Tamm, Aile; Kukli, Kaupo

doi:10.1088/1361-6528/abfee9

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“…Tabla 2: Lista de muestras fabricadas mediante secuencias de ciclos ZrO 2 :MnO x .El espesor fue medido por elipsometría espectroscópica. Tabla publicada en [165].…”

Section: Estructuras Mim Cuyo Dieléctrico Es Zro 2 Mno X O Combinaci...unclassified

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Estudio de la conmutación resistiva a partir de la caracterización eléctrica de estructuras MIM

Vinuesa¹

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Como creo que es habitual para todo doctorando, esta tesis ha llegado a su fin gracias a muchas personas que, tanto dentro como fuera de la universidad, han contribuido a mi crecimiento como persona. A todas ellas les agradezco de corazón el camino recorrido juntos:En primer lugar a mis directores de tesis, el Dr. Salvador Dueñas y la Dra. Helena Castán, por su ofrecimiento y disposición a que formase parte de su grupo de investigación y realizase el doctorado con ellos. También debo darles las gracias por su cercanía e incansable amabilidad, siempre están dispuestos a ayudar de cualquiera de las formas. Creo sinceramente que hacen de la Universidad de Valladolid una mejor institución.A mi compañero de laboratorio, Óscar, por su infinita paciencia enseñándome a manejarme en el laboratorio, gracias a él he tenido siempre con quien conversar, y lo más importante, con quien quejarme, la experimentación ha sido siempre mas amena a su lado. Agradezco también al Dr. Héctor García su ayuda en el laboratorio, ya sea en forma de conocimiento o técnicas de experimentación, y al Dr. Benjamín Sahelices su caracter risueño y auxiliador.Si no fuera por la colaboración y comunicación constante con la

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“…Tabla 2: Lista de muestras fabricadas mediante secuencias de ciclos ZrO 2 :MnO x .El espesor fue medido por elipsometría espectroscópica. Tabla publicada en [165].…”

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“…Fig. 3.39: Curvas I-V correspondientes a la muestra "pura" de (a) ZrO 2 y (b) MnO x .Imagen publicada en[165].…”

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Estudio de la conmutación resistiva a partir de la caracterización eléctrica de estructuras MIM

Vinuesa¹

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Atomic layer deposition of magnetic thin films: Basic processes, engineering efforts, and road forward

Jussila,

Philip,

Tripathi

et al. 2023

Applied Physics Reviews

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Atomic layer deposition (ALD) is known as a key enabler of the continuous advances in device engineering for microelectronics. For instance, the state-of-the-art transistor technology depends entirely on ALD-grown high-κ materials. Another application branch where ALD could potentially play a similar important role in future is the magnetic thin film devices. Spin-based devices based on high-quality magnetic thin films are anticipated to provide high-efficiency operations with low power consumption. The strict quality demands the magnetic thin films must fulfill in the next-generation applications form the strong bases for the efforts to implement ALD in this application area. In this first comprehensive review on the topic, our aim is to provide an insightful account of the ALD processes so far developed for magnetic materials and to highlight the application-relevant magnetic properties of the thus fabricated thin films. Moreover, we discuss the various innovative engineering efforts made toward different multi-layered and nanostructured composite materials and complex architectures uniquely enabled by the sophisticated self-terminated film-growth mechanism of ALD. The review is finished with a brief outlook toward the future prospects and challenges in the field.

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Influence to Hardness of Alternating Sequence of Atomic Layer Deposited Harder Alumina and Softer Tantala Nanolaminates

et al. 2022

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Atomic layer deposited amorphous 70 nm thick Al2O3-Ta2O5 double- and triple-layered films were investigated with the nanoindentation method. The sequence of the oxides from surface to substrate along with the layer thickness had an influence on the hardness causing rises and declines in hardness along the depth yet did not affect the elastic modulus. Hardness varied from 8 to 11 GPa for the laminates having higher dependence on the structure near the surface than at higher depths. Triple-layered Al2O3/Ta2O5/Al2O3 laminate possessed the most even rise of hardness along the depth and possessed the highest hardness out of the laminates (11 GPa at 40 nm). Elastic modulus had steady values along the depth of the films between 145 and 155 GPa.

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Atomic layer deposited nanolaminates of zirconium oxide and manganese oxide from manganese(III)acetylacetonate and ozone

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