Ascending diffusion and the diffusion aftereffect

Geguzin, Ya. E.

doi:10.1070/pu1986v029n05abeh003386

Cited by 25 publications

(18 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Actually, since only layered media exhibited intermittent tracks, the origin of those tracks has been assumed to be related to the intrinsic atomic layer structure of the material. [23][24][25][26][27] Irradiations were carried out at GANIL ͑Caen, France͒ using a Pb ion beam with an energy of 0.63 MeV/ u delivered by the beam line IRRSUD, under an angle of 1°with respect to the SiO 2 surface. The corresponding electronic linear energy transfer ͑LET elec ͒ was about 15.5 keV/ nm in SiO 2 , according to the SRIM2003 code.…”

Section: Discontinuous Ion Tracks On Silicon Oxide On Silicon Surfacementioning

confidence: 99%

Discontinuous ion tracks on silicon oxide on silicon surfaces after grazing-angle heavy ion irradiation

Carvalho

Marinoni

Touboul

et al. 2007

Applied Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: Discontinuous Ion Tracks On Silicon Oxide On Silicon Surfacementioning

confidence: 99%

Discontinuous ion tracks on silicon oxide on silicon surfaces after grazing-angle heavy ion irradiation

Carvalho

Marinoni

Touboul

et al. 2007

Applied Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…It follows from experimental data and theoretical calculations that at a corresponding direction of the built-in electric field the "uphill" impurity diffusion is really observed [26,27]. The "uphill" diffusion is also observed under conditions of significant elastic stresses that influence the diffusion of mobile species (the Gorsky effect [28,29]). However, in the case under consideration the "uphill" diffusion component is due to the so-called fictitious thermodynamic forces [30,31,32] that qualitatively differ from the real forces acting on mobile particles.…”

Section: The Equation Describing the Radiation-enhanced Diffusion Of ...mentioning

confidence: 99%

Microscopic mechanism responsible for radiation-enhanced diffusion of impurity atoms

Velichko

2016

Philosophical Magazine

View full text Add to dashboard Cite

Modeling of radiation-enhanced diffusion of boron and phosphorus atoms during irradiation of silicon substrates respectively with high-and low-energy protons was carried out. The results obtained confirm the previously arrived conclusion that impurity diffusion occurs by means of the "impurity atom -intrinsic point defect" pairs and that the condition of the local thermodynamic equilibrium between substitutional impurity atoms, nonequilibrium point defects created by irradiation, and the pairs is valid. It is shown that using radiation-enhanced diffusion, one can form a special impurity distribution in the semiconductor substrate including retrograde profiles with increasing impurity concentration into the bulk of a semiconductor. The calculations performed give clear evidence in favor of further investigation of various doping processes based on radiation-enhanced diffusion, especially the processes of plasma doping, to develop a cheap method for formation of specific impurity distributions in the near surface region.

show abstract

“…Для решения задачи об определении межфаз-ных напряжений нужно рассмотреть периоди-ческую ячейку '/ γ γ -микроструктуры, состоя-щую из ' возникающие вследствие разницы коэффициентов термического расширения фаз. Кинетика ва-кансий определяется диффузионным уравнением с источником вакансий по термактивационному механизму с учетом диффузионных и термических напряжений, а также концентрации напряже-ний возле включений [7][8][9][10][11]. Межфазные (когерентные) напряжения в '/ γ γ -микроструктуре не-деформированных жаропрочных никелевых сплавов возникают из-за разности параметров γ -и ' γ -решеток.…”

unclassified

“…Диффузионные напряжения возникают вследствие неравных встречных потоков атомов компонентов. В первом приближении в линейной теории упругости суммарные напряжения будут определяться выражением [5][6][7][8] …”

unclassified

“…Рост обусловлен сниже-нием энергии Гиббса в области повышенной концентрации вакансий, вызванным действием тер-момеханических напряжений. Для зависимости скорости роста флуктуации F r от времени можно использовать уравнение [7] …”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Calculation of Vacancy Concentration Under Thermo-Mechanical Loading

Galaktionova¹,

Emaletdinov²

2016

MMPh

View full text Add to dashboard Cite

Рассмотрено моделирование кинетики вакансий при термомеханиче-ском нагружении, которое включает циклические напряжения растяжения и воздействие температуры. Кинетика вакансий определяется диффузион-ным уравнением с учетом диффузионных и термических напряжений. По-лучена система уравнений для неоднородной концентрации вакансий для одномерной задачи, решаемая численными методами.Ключевые слова: термическое расширение; химический потенциал; диффу-зионные напряжения; неоднородная концентрация вакансий; термоактиваци-онный механизм.Эволюция вакансионной системы и зарождение пор под действием циклической термомеха-нической нагрузки определяют долговечность нанокристаллических двухфазных сплавов, на-пример, жаропрочных сплавов, представляющих собой композиционные материалы, состоящие из кубических зерен ' γ фазы размером до 0,5 мкм и соединенных тонкими прослойками мат-ричной γ фазы толщиной до 0,05 мкм [1-3]. В процессе эксплуатации сплавы испытывают ком-плексное воздействие нескольких эксплуатационных факторов: высоких нагрузок, вибрации, не-равномерного циклического нагрева. Под действием термомеханических нагрузок происходит зарождение избыточных неравновесных вакансий, активация диффузионных процессов, рост пор. Парциальные коэффициенты диффузии компонентов различны, что также приводит к воз-никновению потоков вакансий в зернах и прослойках. Исследование кинетики вакансий, роста и залечивания пор в никелевых жаропрочных сплавах в технологиях залечивания пористости было проведено в работах [4][5][6]. Однако кинетика возникновения и развития избыточной концентра-ции вакансий при различных видах термомеханического нагружения, которые возникают при эксплуатации, до настоящего времени не исследована.Целью работы является проведение расчета концентрации вакансий в одномерной модели при термомеханическом нагружении, включающем циклические напряжения растяжения, темпе-ратурные напряжения и нагрев до высоких температур с учетом микроструктуры.Рассмотрим бесконечную изотропную пластину, находящуюся под действием постоянных и циклических растягивающих напряжений вдоль и температурного градиента поперек пластины. Для решения задачи об определении межфаз-ных напряжений нужно рассмотреть периоди-ческую ячейку '/ γ γ -микроструктуры, состоя-щую из ' γ -кубоида, окруженного γ -оболочкой, которая в свою очередь состоит из трех γ -пластин, трех γ -брусьев и маленького γ -кубоида (рис. 1). В данной статье исследует-ся задача с учетом изменения коэффициента диффузии при наличии циклических напряже-ний и градиента температуры. В процессе нагружения возникает избы-точная неоднородная неравновесная концен-трация вакансий. В условиях непрерывного изменения температуры развиваются напряжения, γ -пластина

show abstract

Ascending diffusion and the diffusion aftereffect

Cited by 25 publications

References 8 publications

Discontinuous ion tracks on silicon oxide on silicon surfaces after grazing-angle heavy ion irradiation

Discontinuous ion tracks on silicon oxide on silicon surfaces after grazing-angle heavy ion irradiation

Microscopic mechanism responsible for radiation-enhanced diffusion of impurity atoms

Calculation of Vacancy Concentration Under Thermo-Mechanical Loading

Contact Info

Product

Resources

About