Aproximación de Parámetros Físicos en Silicio Poroso Infiltrado con Óxido de Titanio

Abstract

Se estudia el sistema silicio poroso infiltrado con óxido de titanio mediante espectroscopia infrarroja con transformada de Fourier (FTIR), fotoluminiscencia (FL), microscopia electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia de rayos X por dispersión en energía (EDS). Con los resultados de la caracterización y utilizando un modelo propuesto en la literatura se determinaron los parámetros del material, como tamaño de partícula de silicio residual, diámetro de poro, densidad de la capa porosa, superficie específica y concentración de enlaces superficiales en este; estos resultados permiten tener una idea de lo que caracteriza al material, considerando que estos dependen de varios factores durante la síntesis. La incorporación del óxido de titanio se llevó a cabo durante el proceso de síntesis del silicio poroso, este óxido se localiza sobre la superficie en aglomerados de acuerdo con los resultados de SEM y EDS. De esta forma la superficie del material presenta enlaces de tipo SiHx, TiOx, SiOH y SiOx de acuerdo con el resultado de FTIR que participan en la emisión del material.