ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ THIÊU KẾT ĐẾN CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU Ga2O3 :Cr3+

Abstract

Trong nghiên cứu này, vật liệu Ga2O3:Cr3+ phát xạ đỏ xa được tổng hợp bằng phương pháp khuếch tán bề mặt. Ảnh hưởng của nhiệt độ thiêu kết đến cấu trúc pha tinh thể và tính chất quang của bột huỳnh quang được nghiên cứu bằng giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), quan sát hình thái bằng kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FE-SEM), nghiên cứu tính chất quang bằng phổ huỳnh quang (PL). Kết quả phân tích XRD chỉ ra rằng, vật liệu β –Ga2O3:Cr3+ có cấu trúc tinh thể Monoclinic với cấu trúc không gian C2/m. Phổ kích thích huỳnh quang (PLE) chỉ ra rằng bột huỳnh quang hấp thụ mạnh với 2 dải rộng 380 ÷ 500 nm và 520 ÷ >610 nm. Dải phát quang (PL) rộng ở bước sóng ∼600 ÷ 850nm đã được quan sát thấy, cường độ huỳnh quang tăng khi nhiệt độ thiêu kết tăng. Một LED đỏ xa thu được bằng cách phủ bột tối ưu lên chip xanh dương (450 nm). Những kết quả này cho thấy β –Ga2O3:Cr3+ phosphor có tiềm năng tạo ra đèn LED đỏ xa chiếu sáng cho cây trồng.