Angular dependence of ferromagnetic resonance linewidth in thin films

Dubowik, J.; Załęski, Karol; Głowiński, Hubert; Gościańska, I.

doi:10.1103/physrevb.84.184438

Cited by 44 publications

(27 citation statements)

References 28 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Ширина линии как правило определяется суммой вкладов трех компонент: уширения H G вследствие ко-нечного времени затухания спиновой прецессии (опре-деляется параметром Гильберта G), уширения H 2mag вследствие двухмагнонного рассеяния и неоднородно-го уширения линии H inh [16]. В тонких кристал-лических пленках высокой однородности с большими значениями намагниченности влиянием неоднородного уширения H inh можно пренебречь, в то время как величины H G и H 2mag сопоставимы.…”

Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified

“…В тонких кристал-лических пленках высокой однородности с большими значениями намагниченности влиянием неоднородного уширения H inh можно пренебречь, в то время как величины H G и H 2mag сопоставимы. В соответствии с данными работы [16] H G = 2α(ω/γ). Таким обра-зом, ширина резонансной линии может быть запи-сана в виде Обсудим теперь форму линий ФМР.…”

Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified

See 1 more Smart Citation

Ферромагнитный резонанс в монокристаллических спиновых вентилях CoFeB/Ta/CoFeB и пленках CoFeB c перпендикулярной магнитной анизотропией

Таланцев¹,

L’vova²,

Коплак³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

В пленке MgO/CoFeB/MgO/Ta с одним ферромагнитным слоем (монослой) и спиновом вентиле MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO/Ta, состоящем из двух ферромагнитных слоев CoFeB с монокристаллической структурой, разделенных немагнитным слоем Ta (бислой), исследованы ориентационные зависимости ферромагнитного резонанса. Анализ ориентационных зависимостей структур с перпендикулярной магнитной анизотропией позволил извлечь константы магнитной анизотропии, а также коэффициенты демпфирования. Обсуждаются физические причины различий этих параметров в однослойных и двухслойных структурах.Работа поддержана Министерством образования и науки РФ (грант № 3.1992.2017/ПЧ в рамках конкурса научных проектов, выполняемых научными коллективами исследовательских центров и (или) научных лабораторий образовательных организаций высшего образования), а также грантом № 14.W03.31.0001.

show abstract

Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified

Ферромагнитный резонанс в монокристаллических спиновых вентилях CoFeB/Ta/CoFeB и пленках CoFeB c перпендикулярной магнитной анизотропией

Таланцев¹,

L’vova²,

Коплак³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…For this, either the frequency or the angular dependence can be used [16,17]. Here we use the latter.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Detecting Rashba fields at the interface between Co and Si oxide by ferromagnetic resonance

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

We report ferromagnetic resonance (FMR) experiments on thin magnetic Co layers either sandwiched symmetrically between Cu and Pt, or sandwiched asymmetrically between a Cu or Pt layer on one side and a SiO x substrate on the other. In the symmetric samples, we find well-known behavior, namely, the FMR linewidth H pp is significantly larger for the case of Pt than for the case of Cu. This is due to the larger spin scattering in the Pt layer. However, for the asymmetric Co/Cu bilayers, the linewidth is much larger than for the symmetric Cu/Co/Cu trilayers and not much different from the linewidth of Co/Pt bilayers. We argue this to be due to the Rashba effect at the SiO x /Co interface, which gives rise to effective magnetic fields interacting with the electron spins in the Co layer and which can be measured without reverting to transport measurements.

show abstract

“…In general these devices have resulted from research into the physical properties of thin films. Thin film materials have already been used in semiconductor devices, wireless communications, telecommunications, integrated circuits, rectifiers, transistors, solar cells, light-emitting diodes, photoconductors, light crystal displays, magneto-optic memories, audio and video systems, compact discs, electro-optic coatings, memories, multilayer capacitors, flat-panel displays, smart windows, computer chips, magneto optic discs, lithography, micro-electromechanical systems and multifunctional emerging coatings, as well as other emerging cutting technologies 13 .…”

Section: Applications Of Thin Filmsmentioning

confidence: 99%

A Brief Survey on Basic Properties of Thin Films for Device Application

Rao¹,

Shekhawat²

2013

Int. J. Mod. Phys. Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

Thin film materials are the key elements of continued technological advances made in the fields of optoelectronic, photonic and magnetic devices. Thin film studies have directly or indirectly advanced many new areas of research in solid state physics and chemistry which are based on phenomena uniquely characteristic of the thickness, geometry and structure of the film. The processing of materials into thin films allows easy integration into various types of devices. Thin films are extremely thermally stable and reasonably hard, but they are fragile. On the other hand organic materials have reasonable thermal stability and are tough, but are soft. Thin film mechanical properties can be measured by tensile testing of freestanding films and by the micro beam cantilever deflection technique, but the easiest way is by means of nanoindentation. Optical experiments provide a good way of examining the properties of semiconductors. Particularly measuring the absorption coefficient for various energies gives information about the band gaps of the material. Thin film materials have been used in semiconductor devices, wireless communications, telecommunications, integrated circuits, rectifiers, transistors, solar cells, lightemitting diodes, photoconductors and light crystal displays, lithography, micro-electromechanical systems (MEMS) and multifunctional emerging coatings, as well as other emerging cutting technologies.

show abstract

Angular dependence of ferromagnetic resonance linewidth in thin films

Cited by 44 publications

References 28 publications

Ферромагнитный резонанс в монокристаллических спиновых вентилях CoFeB/Ta/CoFeB и пленках CoFeB c перпендикулярной магнитной анизотропией

Ферромагнитный резонанс в монокристаллических спиновых вентилях CoFeB/Ta/CoFeB и пленках CoFeB c перпендикулярной магнитной анизотропией

Detecting Rashba fields at the interface between Co and Si oxide by ferromagnetic resonance

A Brief Survey on Basic Properties of Thin Films for Device Application

Contact Info

Product

Resources

About