Analysis of Temperature Characteristics of 980 nm Semiconductor Laser Facet

Present Status of Impurity Free Vacancy Disordering Research and Application

“…不仅可以获得良好的峰值响应， 并且在多色探测、 量子点密度等方面都有不错的改进， 在 77 K 时也可观测到 很强的垂直入射条件下的光电流信号 [44][45][46] 。 3.4 IFVD QWI 的器件应用 半导体激光器具有体积小、 质量轻、 寿命长等优点 [47] [48] 。为了提高输出功率， 同时抑制或延缓大功率工作 的半导体激光器 COD 的发生， 从理论上来讲必须遏制腔面处的光吸收和减少作为复合中心的表面态， 为此 常采用的方法是采用 QWI 技术来增加激光器腔面处有源层的带隙， 形成非吸收窗口； 通过 IFVD 技术形成的 非吸收窗口可以有效提高激光器的出光功率和 COD 阈值 [49][50] 。 非吸收窗口的概念最早出现在 1990 年， Ueno 等 [51] 采用 Zn 杂质扩散诱导 QWI 制作出了带有非吸收窗口 结 构 的 680 nm AlGaInP 激 光 器 ， 连 续 输 出 功 率 75 mW， 是 常 规 激 光 器 的 2~3 倍 [51] 。 相 比 于 杂 质 诱 导 QWI， IFVD 因 其 不 引 入 杂 质 、 工 艺 简 单 等 优 势 ， 广 泛 用 于 非 吸 收 窗 口 的 制 作 。 2000 年 ， McDougall 等 [52] 利 用 溅 射 SiO2QWI 技术制作出带有非吸收腔面的 GaAs 基 PIN 光电二极管， 腔面温度相比常规器件有显著下降。利用 IFVD 制备的带有非吸收窗口的 980 nm LD 提高了 COD 阈值和高温下的稳定性。 国 内 方 面 ， 1998 年 中 国 科 学 院 半 导 体 研 究 所 所 率 先 采 用 无 杂 质 空 位 诱 导 方 法 在 978 nm 量 子 阱 激 光 器 上 制 作 了 非 吸 收 窗 口 ， 通 过 SiO2 薄 膜 和 SrF2 薄 膜 来 控 制 混 杂 程 度 ， 该 结 构 器 件 最 大 输 出 功 率 达 340 mW， 相 比常规结构提升了 36% [53] 。长春理工大学通过快速热退火诱导 QWI 制作了带有非吸收窗口的 980 nm 量子 52, 030003(2015) 激光与光电子学进展 www.opticsjournal.net…”