Analysis of conditions for high speed growth of silicon sheet

Zook, J. D.; Schuldt, S. B.

doi:10.1016/0022-0248(80)90230-4

Cited by 10 publications

(5 citation statements)

References 7 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Conservation de la quantité de matière fondue : débit massique de fusion = débit massique de cristallisation. 6. Conclusions.…”

Section: Dans Le Cas Du Siliciumunclassified

“…Des méthodes numériques ont été développées sous des hypothèses d'unidimensionnalité, ce qui simplifie beaucoup le problème [3][4][5]. Zook et Schuldt ont élaboré des modèles partiellement analytiques de ruban à une ou deux dimensions [6]. Il a paru intéressant de mettre au point une méthode numérique générale permettant de traiter tout problème de ce type à une ou deux dimensions.…”

unclassified

“…Application à un problème unidimensionnel. La méthode précédente a été testée sur un problème unidimensionnel pour lequel existe une solution analytique [6,7] : le cas du lingot tiré à partir d'un bain fondu.…”

unclassified

See 2 more Smart Citations

Méthode générale de calcul thermique d'un système en mouvement avec changement d'état

Cassagne

1982

Rev. Phys. Appl. (Paris)

View full text Add to dashboard Cite

2014 Dans le cadre du développement d'une méthode de croissance de ruban de silicium, une étude théorique de la forme d'équilibre d'une zone fondue sur la génératrice d'un cylindre en rotation a été entreprise. Pour analyser ce système thermique complexe, une méthode générale de calcul d'un corps en mouvement avec changement d'état a été élaborée. On montrera les applications de cette méthode à un problème unidimensionnel, puis au cas du cylindre en rotation. Abstract. 2014 In the development of a silicium ribbon growth method, the equilibrium shape of a melted zone on the generative line of a rotating cylinder has been investigated. In order to analyse this complex thermal system, a general method to calculate a moving body with change of state has been elaborated. The application of this method to a one-dimensional problem and to a rotating cylinder will be seen.

show abstract

“…Conservation de la quantité de matière fondue : débit massique de fusion = débit massique de cristallisation. 6. Conclusions.…”

Section: Dans Le Cas Du Siliciumunclassified

unclassified

See 1 more Smart Citation

Méthode générale de calcul thermique d'un système en mouvement avec changement d'état

Cassagne

1982

Rev. Phys. Appl. (Paris)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…[1][2][3] To improve the power generation efficiency of the multicrystal silicon, improvement of the quality of the silicon ingot itself is required in addition to appropriate module design. [1][2][3][4] There are many reports on the vertical and horizontal filmdrawing method [5][6][7] and the Czochralski method 8,9) for the manufacture technique of silicon for solar cell devices. 10) However, very few reports on the control of crystal orientation have been published, apart from some investigating the influences of convection 11) and impurities [12][13][14] on multicrystal silicon ingot processing.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of Twin Growth on Unidirectional Solidification Control of Multicrystal Silicon for Solar Cells

et al. 2005

View full text Add to dashboard Cite

The solidification microstructure and crystal orientation have been investigated for solar cell grade high purity multicrystal silicon through a unidirectional solidification technique. The mechanism of the twin growth on a reentrant corner has been also discussed. A columnar structure is observed at solidification velocities of 1.25-30 mm/s and positive temperature gradient of 20 K/cm in the rod-like silicon specimens in an electric resistance furnace. In the solidification velocity range of 1.25-2.5 mm/s, the grain size enlarges as solidification progresses. Furthermore, large columnar grains contain many twin boundaries. However, the average grain size decreases as the solidification velocity increases and above the critical velocity around 40 mm/s, equiaxed structure appears at the central part of specimens. Therefore, molten silicon must be solidified at the velocity below 2.5 mm/s where twins are always introduced into grains to obtain large columnar crystal grains. The undercooling for directional growth is less than 4 K in the solidification velocity range of 1.25-30 mm/s. A model of two-dimensional nucleation on the reentrant corner was established, and the critical nucleus could be estimated to be 70 to 80% of the radius of the general two-dimensional nucleus. The nucleation undercooling on the surface containing twins also decreased to 70% of the general undercooling. The reduction of the critical radius and undercooling on the reentrant corner could eventually influence on the priority growth direction and the enlargement of the grain size.

show abstract

“…En fait, l'étude de l'équilibre thermique [15][16][17] a montré l'existence d'une vitesse limite de rotation mi et d'une vitesse limite de tirage vl correspondant aux seuils au-delà desquels l'extraction de la chaleur produite par la solidification du silicium fondu à l'interface solide-liquide n'est plus possible. mi est une fonction décroissante du rayon R du cylindre et de la puissance n; typiquement elle est de l'ordre du dixième de tour par minute.…”

Section: Introductionunclassified

Etude hydrostatique d'un système de croissance de ruban de silicium

Hamidi¹

1983

Rev. Phys. Appl. (Paris)

View full text Add to dashboard Cite

zone liquide les possibilités du procédé de tirage du ruban à partir d'un cylindre en rotation ont été étudiées. Nous avons établi les relations qui existent entre les différents paramètres du système et l'épaisseur du ruban tiré. La stabilité du régime permanent de croissance a été étudiée et nous avons montré qu'après une perturbation quelconque, pouvait exister une évolution dans un sens tendant à ramener le système vers un nouvel état d'équilibre. Abstract. 2014 In the development of the silicon ribbon pulling method from a turning cylinder, the equilibrium shape of the melted floating zone has been investigated in relation with the geometric characteristics of the pulled ribbon. The right position and the thickness of the ribbon have been determined versus different parameters of the system. We have studied the stability of the growth of a ribbon with constant thickness ; we show that after slight perturbations, the system tends to move toward a new equilibrium state.

show abstract

Analysis of conditions for high speed growth of silicon sheet

Cited by 10 publications

References 7 publications

Méthode générale de calcul thermique d'un système en mouvement avec changement d'état

Méthode générale de calcul thermique d'un système en mouvement avec changement d'état

Effect of Twin Growth on Unidirectional Solidification Control of Multicrystal Silicon for Solar Cells

Etude hydrostatique d'un système de croissance de ruban de silicium

Contact Info

Product

Resources

About