Abstract:Objetivos y estructura de la tesis v de Silicio es un parámetro importante por lo que hemos considerado en las simulaciones dos posibles valores para este parámetro, 30 nm y 50 nm, lo que nos permitirá además evaluar su influencia. De nuevo, el estudio será efectuado de manera completa, desde las magnitudes internas hasta los parámetros de ruido.4 En el Capítulo VI nos centraremos en el análisis de dispositivos FDSOI MOSFET fabricados. Además de comentar los principales detalles del proceso de fabricación y de… Show more
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