Análise da estrutura energética e da dinâmica de portadores fotogerados em heteroestruturas semicondutoras de InGaAs/InP e AlGaAs/GaAs

Abstract

Este trabalho é dedicado aos meus pais Valeriano e Claudia, com toda minha admiração e gratidão pelos seus conselhos, compreensão, carinho, apoio moral e por tudo que fizeram por mim ao longo da minha vida. E apesar da distância durante a minha formação fora do meu país, demostraram ser os melhores pais, os amo. AGRADECIMENTOSOs agradecimentos principais são direcionado:A Deus, pelo cuidado com minha família e sobretudo com meus pais, pela sua perseverança em minhas decisões e por tudo que tem feito em minha vida.Ao Prof. Dr. Iouri Poussep pela orientação, confiança e incentivo na elaboração deste trabalho e sobretudo pela oportunidade de formar parte de seu grupo de pesquisa. Agradeço também por ter me apresentado de forma admirável e exemplar o caminho profissional como deveria ser um pesquisador no universo acadêmico. À minha companheira Jessica, por seu apoio moral, colaboração e suas constantes palavras de motivação, e agradecido por ter me acompanhado nesta etapa da minha vida. Ao doutorando Belarmino Tavares, pelo companheirismo durante os anos de convivência em nossa etapa acadêmica junto com o professor Iouri. E pelos momentos de conversa e sua ajuda incondicional que contribuíram para o meu crescimento científico. Ao Prof. Dr. Marcio Daldin do Departamento de Física da UFSCar, pelas medidas de fotoluminescência e fotoluminescência resolvida no tempo realizadas em seu laboratório de Nanoestruturas Semicondutoras. Aos técnicos Haroldo e Carlos do grupo de Semicondutores do IFSC, por me terem ajudado e explicado varias vezes como utilizar adequadamente os equipamentos disponíveis no laboratório. Ao Instituto de Física de São Carlos, pela oportunidade de realização do curso de Doutorado. À agência de fomento CAPES pela concessão da bolsa de doutorado, durante o desenvolvimento desta tese. Aos demais amigos e companheiros que direta ou indiretamente permitiram a realização desta tese. O presente trabalho foi realizado com apoio da Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior -Brasil (CAPES) -Código de Financiamento 001 "O que sabemos é uma gota, o que ignoramos é um oceano." Isaac Newton RESUMO PATRICIO, M. A. Análise da estrutura energética e da dinâmica de portadores fotogerados em heteroestruturas semicondutoras de InGaAs/InP e AlGaAs/GaAs. 2018. 151 p. Tese (Doutorado em Ciências) -Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2018. Esta tese apresenta um estudo experimental em sistemas eletrônicos multicamadas formados em diversas heteroestruturas semicondutoras de alta qualidade crescidas por epitaxia de feixes moleculares. Especificamente, poços quânticos isolados baseados em InGaAs/InP e super-redes baseadas em GaAs/AlGaAs foram caraterizados por meio de medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura, potência de excitação e do campo magnético. O estudo de efeitos na dinâmica de processos de recombinação destes sistemas eletrônicos é a base principal deste trabalho. Além disso, exploramos os efeitos da desordem sobre os processos de recombinação ...