An innovative process suitable to produce high-efficiency CdTe/CdS thin-film modules

Romeo, N.; Bosio, A.; Romeo, Alessandro

doi:10.1016/j.solmat.2009.06.001

Cited by 126 publications

(62 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The methods used to deposit CdTe thin films include sputtering [6], thermal evaporation [7], metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) [8], molecular beam epitaxy (MBE) [9], close space sublimation (CSS) [10], electrodeposition [11] etc. Among the techniques mentioned above, electrodeposition offers the best solution for simplicity and lowcost in order to deposit various types of semiconductors [12].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Optimisation of CdTe electrodeposition voltage for development of CdS/CdTe solar cells

Diso

Fauzi

Echendu

et al. 2016

J Mater Sci: Mater Electron

View full text Add to dashboard Cite

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Optimisation of CdTe electrodeposition voltage for development of CdS/CdTe solar cells

Diso

Fauzi

Echendu

et al. 2016

J Mater Sci: Mater Electron

View full text Add to dashboard Cite

“…CdS is an important semiconductor compound of the II-VI group with excellent physical properties and band gap energy of 2.42 eV. It has been extensively studied due to its potential application in field effect transistor, lightemitting diodes, photocatalysis, biological sensors, solar cells and photodegradation of water pollutants (Alivisatos 1996;Colvin et al 1994;Klein et al 1997;Ruxandra and Antohe 1998;Romeo et al 2010;Beecroft and Ober 1997). The electronic properties of CdS nanoparticles doped with transition metals are strongly influenced by the doped transition metals (Liu Kewei et al 2007).…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Synthesis and structural, optical and thermal properties of CdS:Zn2+ nanoparticles

2013

View full text Add to dashboard Cite

Undoped and Zn (1-5, 10 %) -doped CdS nanoparticles were successfully synthesized by chemical method and polyvinylpyrrolidone was used as capping agent. The morphology and crystalline structure of the samples were studied by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. The average particle size of the spherical nanoparticles determined by these techniques was of the order of 2.5-6 nm. The functional groups of the capping agent on CdS:Zn 2? surface were identified by FT-IR study. The band gap of the nanoparticles was calculated using UV-visible absorption spectra and the result showed that the band gap values were dramatically blue shifted from the bulk CdS. The optimum concentration of the doping ions was selected through absorption study. Photoluminescence of the CdS:Zn 2? nanoparticle showed strong blue and green emission. The thermal properties of the nanoparticles were analyzed by thermogravimetricdifferential thermal analysis.

show abstract

“…До осадження мiдi зазвичай проводять хiмiчне травлення поверхнi -CdTe, щоб збагатити її телу-ром, який реагуючи з Cu, формує сполуку Cu Te (1≤ ≤ 2) [31]. Сполука Cu Te також виконує функцiю буферного шару, що запобiгає дифузiї мi-дi по границях зерен в матрицю CdTe i далi до мi-сця гетеропереходу.…”

Section: виготовлення омIчного контактуunclassified

“…Дифузiя мiдi створює дорiж-ки шунтування, що знижує термiн експлуатацiї СЕ [3]. З iншого боку, дифузiя мiдi безпосередньо в шарi CdTe знижує його опiр i, тим самим, збiль-шує ефективнiсть СЕ [31]. Бiльшiсть дослiдникiв роблять контакт на CdTe -типу з використанням Cu-мiстких сполук, таких як Cu-Au шари, Cu 2 Te, ZnTe : Cu або Cu 2 S [3].…”

Section: виготовлення омIчного контактуunclassified

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Semikina

2018

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

Розроблена технологiя квазiзамкненого простору для осадження шарiв CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементiв (СЕ). Дослiджуються та аналiзую-ться технологiчнi чинники, вiд яких залежить структура кристалiчної ґратки, ши-рина оптичної забороненої зони та провiднiсть CdS та CdTe. Запропонована техноло-гiя виготовлення омiчного контакту до -CdTe на основi виродженого напiвпровiдника Cu S. Аналiзуються характеристики СЕ виготовлених на пiдкладках з рiзними про-вiдними плiвками (Mo, ZnO, ZnO : Al). Результати обробки свiтлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO : Al плiвок, отрима-них методом атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено тов-щини шарiв CdS ( = 67 нм), CdTe (∼1 мкм) та Cu S (30 нм), при яких була отримана краща ефективнiсть ( = 1,75-1,89%) та показано, що використання тонких плiвок в структурi СЕ покращує їх характеристики. К л ю ч о в i с л о в а: метод квазi-замкненого простору, CdS/CdTe сонячнi елементи, Cu S омiчний контакт, провiднi плiвки Mo, ZnO, ZnO : Al. ВступПошук альтернативних джерел енергiї стимулює науковi розробки, спрямованi на створення висо-коефективних i дешевих сонячних елементiв (СЕ). Особливий iнтерес викликають сонячнi елементи на основi тонких плiвок. Тонкоплiвковi сонячнi елементи (ТСЕ) стають конкурентноздатними в порiвняннi з кремнiєвими (монокристалiчними та полiкристалiчними) завдяки своїй дешевизнi i до-сягнутим високим значенням ефективностi [1]. Со-нячнi панелi з телуриду кадмiю (CdTe) за обся-гом виробництва йдуть другими пiсля кремнiєвих елементiв. У 2016 роцi для сонячних елементiв на основi CdTe вдалося подолати значення ефектив-ностi 16,5%, яке трималося впродовж останнiх 10 рокiв. В роботi [2] представленi такi значення па-раметрiв ТСЕ на основi CdS/CdTe (при освiтленнi © Т.В. СЕМIКIНА, 2018 1000 Вт/м 2 (АМ1,5), температурi 25 ∘ С): ефектив-нiсть 21,0 ± 0,4%, область апертури 1,0623 см 2 , на-пруга холостого ходу хх = 0,8759 В, струм ко-роткого замикання кз = 30,25 мА/см 2 , фактор заповнення = 79,4%. Для модулiв наземно-го призначення з тонкоплiвковими CdS/CdTe СЕ отриманi такi данi за умови освiтлення АМ 1,5 i температурi 25 ∘ С: ефективнiсть = 18,6 ± ± 0,6%, площа апертури 7038,8 см 2 , хх = 110,6 В, кз = 1,533 А, = 74,2%. Рекордними резуль-татами для CdS/CdTe СЕ є вiдповiдно значення:= 22,1 ± 0,5%, освiтлена область 0,4798 см 2 , хх = 0,8872 В, кз = 31,69 мА/см 2 , = 78,5% за умов вимiрювання АМ1,5 та 25 ∘ С. Технологiя виробництва CdS/CdTe СЕ придатна для широко-масштабного виробництва з таких причин [3,4]:• можливiсть використання дешевих пiдкладок на основi натрiєво-кальцiєвого силiкатного скла, якi можуть витримати температуру 500 ∘ С;

show abstract

An innovative process suitable to produce high-efficiency CdTe/CdS thin-film modules

Cited by 126 publications

References 17 publications

Optimisation of CdTe electrodeposition voltage for development of CdS/CdTe solar cells

Optimisation of CdTe electrodeposition voltage for development of CdS/CdTe solar cells

Synthesis and structural, optical and thermal properties of CdS:Zn2+ nanoparticles

Fabrication of CdS/CdTe Solar Cells by Quasiclosed Space Technology and Research of Their Properties

Contact Info

Product

Resources

About