Amorphous-silicon FET array for LCD panel

Katoh, Kazuhisa; Yasui, Motoshi; Kuniyasu, S.; Watanabe, Hideo

doi:10.1049/el:19830344

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“…Contudo demorou cerca de dez anos para Spear e Lecomber [3] conseguirem dopar o a-Si depositado glow discharge do tipo n ou p ao se adicionar gases fosfina ou diborana na mistura de silana, respectivamente. Com este sucesso na dopagem, iniciou-se um interesse grande interesse na pesquisa e aplicação deste material, abrindo muitas oportunidades de seu uso para muitos dispositivos como: telas e displays de LCD [4], sensores luminosos [5], transistores de filmes finos [6], memistores [7] e células fotovoltaicas [8]. Tal ampliação em seu uso também teve como base a possibilidade de ser depositado em grandes áreas por PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou RF-PECVD (Radio Frequency PE-CVD) [9], e a possibilidade de ser depositado em baixas temperaturas (<250°C) [ [10], [5]], o que permite o uso de substratos maleáveis (polímeros), vidro e folhas metálicas.…”

Section: Lista De Ilustraçõesunclassified

Formação e caracterização de filmes de silício amorfo hidrogenado depositado por ECR-CVD

Alvarez¹

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A ata de defesa, com as respectivas assinaturas dos membros da Comissão Julgadora, encontrase no processo de vida acadêmica do aluno.Dedico este trabalho à minha mãe Frâncis, ao meu pai Chertertom, à minha avó Maria Júlia e à minha irmã Natália, que me ajudaram e me deram suporte durante toda a minha jornada Agradecimentos Gostaria de agradecer primeiramente aos meus pais, Frâncis e Chertertom, minha irmã Natália e minha avó Maria Júlia, por toda a ajuda durante a minha graduação e durante o meu mestrado.A dona Maria de Lurdes por ter estado sempre presente como apoio para a minha família.Ao meu orientador José Alexandre Diniz, pela oportunidade, pelos conselhos dados durante a realização deste trabalho, a ida ao congresso internacional AVS e as ajudas na confecção deste trabalho.

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