1999
DOI: 10.1006/jssc.1998.8049
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ALn1±xBi4±xS8(A=K,Rb;Ln=La,Ce,Pr,Nd): New Semiconducting Quaternary Bismuth Sulfides

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“…Die Wärmeleitfähigkeit des Gitters der letztgenannten Verbindung ist sogar noch geringer als bei Tl 2 SnTe 5 . [127,128] [139] ALn 1AEx Bi 4AEx S 8 [140] (A = K, Rb; Ln = La, Ce, Pr, Nd), BaLaBi 2 Q 6 [141] (Q = S, Se), a-,b-APbBi 3 Se 6 [142] (A = K, Rb, Cs), K 1Àx Sn 5Àx Bi 11+x Se 22 , [143] A 1+x M' 4À2x Bi 7+x Se 15 [144] (A = K, Rb; M' = Sn, Pb), [145] SnBi 4 Se 7 , [146] CdBi 2 S 4 , [147] CdBi 4 S 7 , [147] Cd 2.8 Bi 8.1 S 15 , [147] Cd 2 Bi 6 S 11 , [147] Ba 3 Bi 6.67 Se 13 [148] und Ba 3 MBi 6 Se 13 [148] (M = Sn, Pb) zu nennen. Derartige Verbindungen haben eine niedrige Wärmeleitfähigkeit, hohe Thermokraft und oftmals eine hohe elektrische Leitfähigkeit, [133,134,149,150] Eine der bemerkenswertesten Phasen ist b-K 2 Bi 8 Se 13 , das wegen seiner geringen Wärmeleitfähigkeit und seines relativ hohen Leistungsfaktors interessant ist.…”
Section: Intermetallische Halb-heusler-verbindungenunclassified
“…Die Wärmeleitfähigkeit des Gitters der letztgenannten Verbindung ist sogar noch geringer als bei Tl 2 SnTe 5 . [127,128] [139] ALn 1AEx Bi 4AEx S 8 [140] (A = K, Rb; Ln = La, Ce, Pr, Nd), BaLaBi 2 Q 6 [141] (Q = S, Se), a-,b-APbBi 3 Se 6 [142] (A = K, Rb, Cs), K 1Àx Sn 5Àx Bi 11+x Se 22 , [143] A 1+x M' 4À2x Bi 7+x Se 15 [144] (A = K, Rb; M' = Sn, Pb), [145] SnBi 4 Se 7 , [146] CdBi 2 S 4 , [147] CdBi 4 S 7 , [147] Cd 2.8 Bi 8.1 S 15 , [147] Cd 2 Bi 6 S 11 , [147] Ba 3 Bi 6.67 Se 13 [148] und Ba 3 MBi 6 Se 13 [148] (M = Sn, Pb) zu nennen. Derartige Verbindungen haben eine niedrige Wärmeleitfähigkeit, hohe Thermokraft und oftmals eine hohe elektrische Leitfähigkeit, [133,134,149,150] Eine der bemerkenswertesten Phasen ist b-K 2 Bi 8 Se 13 , das wegen seiner geringen Wärmeleitfähigkeit und seines relativ hohen Leistungsfaktors interessant ist.…”
Section: Intermetallische Halb-heusler-verbindungenunclassified
“…More recently, there has been attention paid to preparing quaternary rare-earth chalcoantimonites and chalcobismuthites, e.g. K 2 (Ln 2Àx )Sb 4+x Sb 4 Se 12 (Ln = La, Ce, Pr and Gd; Chen & Dorhout, 1997), K 2 Gd 2 Sb 2 Se 9 (Choi et al, 1999), K 2 La 2 Sb 2 S 9 (Choi et al, 1999), Na 9 Gd 5 Sb 8 S 26 (Park & Kim, 2001), BaLaBi 2 S 6 (Choi et al, 1997), ALn 1AEx Bi 4AEx S 8 (A = K and Rb, and Ln = La, Ce, Pr and Nd; Iordanidis et al, 1999) and Pb 2 Eu 2 Bi 6 Se 13 (Chung et al, 1998). These compounds possess complex structures, owing to the combination of the high coordination numbers found for lanthanides with discrete [PnQ 3 ] 3À , [PnQ 3+1 ] 3À and [PnQ 4 ] 5À anions and the extended networks of chalcoantimonites and chalcobismuthites.…”
Section: Commentmentioning
confidence: 99%
“…Some of the new compounds include KBi 3 S 5 [66], KBi 6.33 S 10 [67,68], K 2 Bi 8 S 13 [67,68], a-, b-K 2 Bi 8 Se 13 [69,70], K 2.5 Bi 8.5 Se 14 [70], A x Bi 4 Se 7 [71] (x = 1, 2), BaBiTe 3 [72], CsBi 4 Te 6 [73], ALn 1-x Bi 4-x S 8 [74] (A = K, Rb and Ln = La, Ce, Pr, Nd), BaLa-Bi 2 Q 6 [75] (Q = S, Se), a-, b-APbBi 3 Se 6 [76] (A = K, Rb, Cs), K 1-x Sn 5-x Bi 11+x Se 22 [77] [82] (M = Sn, Pb). These types of compounds have shown low thermal conductivity, high thermopower, and often high electrical conductivity, with CsBi 4 Te 6 having a ZT value of 0.8 at 225 K [73].…”
Section: Alkali-metal Bismuth Chalcogenidementioning
confidence: 99%