Zur Realisierung von C‐C‐Kupplungen in der Oberflächensynthese auf inerten Oberflächen haben wir eine Radikal‐Abscheidungs‐Quelle (RAQ) für die direkte Abscheidung von Aryl Radikalen auf beliebige Substrate entwickelt. Das Herzstück ist ein beheiztes reaktives Drift‐Rohr, durch das halogenierte Vorläufer abgeschieden und dabei en route in Radikale umgewandelt werden. Den Machbarkeitsbeweis erbringen wir mit 4,4′′‐Diiod‐p‐terphenyl (DITP)‐Vorläufern auf Iod‐passivierten Metall‐Oberflächen. Aus der Abscheidung mit der RAQ bei Raumtemperatur resultieren sehr regelmäßige Strukturen, die hauptsächlich aus monomeren (Terphenyl) oder dimeren (Sexiphenyl) Biradikalen bestehen. Mildes Heizen aktiviert die fortschreitende C‐C‐Kupplung in ausgedehntere molekulare Drähte. Diese Strukturen unterscheiden sich grundlegend von den nach konventioneller Abscheidung von intaktem DITP beobachteten selbst‐assemblierten Strukturen. Durch die direkte Abscheidung von Radikalen ist die Reaktivität des Substrats nicht mehr notwendig, und damit der Weg zur Synthese auf anwendungsrelevanten inerten Oberflächen geebnet.