2019
DOI: 10.1016/j.tsf.2019.137622
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9–300 K

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
3

Year Published

2021
2021
2024
2024

Publication Types

Select...
4
1

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 5 publications
(3 citation statements)
references
References 42 publications
0
0
0
3
Order By: Relevance
“…Для получения детальной информации о свойствах органо-неорганических систем необходимо проведение комплексных исследований процессов в таких системах, что возможно при использовании различных экспериментальных методик. Простым и информативным методом изучения органо-неорганических систем является измерения адмиттанса (или импеданса) в различных условиях [2,3].При разработке новых экспериментальных методик исследования органо-неорганических систем удобно использование структур на основе органических пленок пентацена, который может использоваться в качестве модельного материала из-за его широкого применения в тонкопленочных транзисторах, солнечных элементах и устройствах памяти. В приборах на основе пентацена часто используются диэлектрические пленки SiO2, но актуальной остается разработка других диэлектрических покрытий.…”
unclassified
See 2 more Smart Citations
“…Для получения детальной информации о свойствах органо-неорганических систем необходимо проведение комплексных исследований процессов в таких системах, что возможно при использовании различных экспериментальных методик. Простым и информативным методом изучения органо-неорганических систем является измерения адмиттанса (или импеданса) в различных условиях [2,3].При разработке новых экспериментальных методик исследования органо-неорганических систем удобно использование структур на основе органических пленок пентацена, который может использоваться в качестве модельного материала из-за его широкого применения в тонкопленочных транзисторах, солнечных элементах и устройствах памяти. В приборах на основе пентацена часто используются диэлектрические пленки SiO2, но актуальной остается разработка других диэлектрических покрытий.…”
unclassified
“…Для образца на основе пентацена с золотом обнаружен уровень поверхностных состояний на границе между пентаценом и диэлектриком SiO2-Al2O3 с плотностью 1.510 11 см -2 , и временем перезарядки -около 3.2 мкс. Для образцов 1 и 4 обнаружены ловушки в объеме органической пленки пентацена [3].Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Администрации Томской области в рамках научного проекта № 18-43-700005.…”
unclassified
See 1 more Smart Citation