Abstract:Die Adatombewegung auf Oberflächen kovalenter Festkörper — allen voran Silizium — ist von großer Bedeutung für die Weiterentwicklung von Halbleiter‐Bauelementen. Mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie gelingt es zunehmend besser, die mikroskopischen Aspekte dieser Bewegung zu verstehen.
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