2015
DOI: 10.1088/0268-1242/30/4/045001
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Accelerated aging of 28 Gb s−1850 nm vertical-cavity surface-emitting laser with multiple thick oxide apertures

Abstract: 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers with multiple thick oxide apertures suitable for temperature-insensitive error free transmission at 28 Gb s −1 are subjected to accelerated aging at high current densities and chip temperatures. The devices withstand a 20% power change test at a high current density ( − stress use 8 B use stress . The extrapolated lifetime for 20% power drop is estimated as 20 thousand years at 300 K at current density of − 18 kA cm 2 which is sufficient for 28 Gb s −1 error-free … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

0
5
0
1

Year Published

2016
2016
2024
2024

Publication Types

Select...
7
2

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 30 publications
(6 citation statements)
references
References 13 publications
0
5
0
1
Order By: Relevance
“…Furthermore, we compare the SM and multimode (MM) VCSEL performance for various transmission conditions. [8]. A design of the SM VCSEL allowed an oxide-aperture-induced leakage effect to be applied for mode selection [9].…”
mentioning
confidence: 99%
“…Furthermore, we compare the SM and multimode (MM) VCSEL performance for various transmission conditions. [8]. A design of the SM VCSEL allowed an oxide-aperture-induced leakage effect to be applied for mode selection [9].…”
mentioning
confidence: 99%
“…The vertical-cavity emitting lasers (VCSELs) at 850 nm are characterized by surface light emission, the modulation bandwidth up to 25 GHz, coupled output power of a few milliwatt and driving current of a few miliamper [5]. Figure 1 shows the spectrum and light-intensity-voltage characteristics of the 850 nm VCSEL.…”
Section: Nm Data Interconnectsmentioning
confidence: 99%
“…Традиционный скептицизм по поводу возможности надеж-ной работы ВИЛ на скоростях, существенно больших 10 Gbit/s [1], был связан с негативным опытом применения традиционных ВИЛ на основе GaAs−GaAlAs с волноводной полостью, обогащенной по GaAs [2]. Кон-цепция антиволноводного ВИЛ (antiwaveguiding VCSEL, A-VCSEL) [3], целью которой является увеличение силы осциллятора вертикальной оптической моды [4] и подавление нежелательного излучения в плоско-сти p−n-перехода, позволяет осуществлять скоростную передачу вплоть до высоких температур [5] и достигать высокой надежности (reliability) прибора [6]. В последнее время сильно возрос интерес к одномодо-вым ВИЛ, позволяющим передавать данные на дальние расстояния по многомодовому оптоволокну за счет кардинального уменьшения хроматической дисперсии.…”
Section: поступило в редакцию 29 августа 2017 гunclassified