A study of transparent indium tin oxide (ITO) contact to p-GaN

Metal/graphene sheets as p-type transparent conducting electrodes in GaN light emitting diodes

“…1 Ni-, Au-or Pt-based metal electrodes have been used to reduce contact resistance. 2,3 However, due to the difficulty in achieving heavily doped p-type GaN, current spreading over a large area cannot be achieved by the use of these opaque metal electrodes. Alternatively, tin-doped indium oxide (ITO) has been employed as a transparent conducting electrode for ptype GaN.…”

Peculiarity of Forming Transparent Conducting Films on Basis of Oxides Indium-Tin for Contacts on Gan-Based Light Emitting Diodes

“…2). Это хорошо согласуется с результатами, полученными в других работах, в которых режим отжига мог варьироваться в широких пределах -от кратковременного отжига при высоких температурах [3][4][5][6] до низкотемпе-ратурного отжига в течение длительного времени: до 1000 мин при 125-165 °C [11] и 30-60 мин при 200-300 °C [10,15,16].…”

“…Благодаря этим своим свойствам пленки ITO создают омический контакт к р−GaN и обеспечивают хорошее растекание электрическо-го тока по площади окна контакта. Поэтому их широко применяют в качестве прозрачных контактов в светодиодах на основе GaN [1][2][3][4][5][6][7]. Для получения прозрачных и про-водящих пленок ITO используют в основном два способа нанесе-ния: магнетронное распыление и электронно−лучевое испарение.…”

“…Однако его опти-мальные условия (температура, атмосфера, продолжительность), по данным разных источников, различны и часто противоречат друг другу. Например, в работах [4,5,13] использовали отжиг в азоте, а в работах [10,[14][15][16][17] -отжиг в кислороде или на воздухе. В рабо-тах [4][5][6] применяли кратковре-менный отжиг (несколько минут) при высоких температурах 550-600 °С, а в работах [10,11,[14][15][16][17] -длительный (десятки минут или несколько часов) при сравнительно низких температурах 200-350 °С.…”

“…Поэтому трудно сопоставлять режимы. Кроме того, существуют и отдельные техноло-гические особенности используе-мых процессов, одна из которых -испарение ITO в вакууме [5,6,9,11] или с напуском кислорода в камеру [4,[13][14][15][16][17].…”